[发明专利]存储器件以及制造存储器件的方法

摘要

本发明公开了存储器件及其制造方法。一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层并且然后蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成选择器件、中间电极和可变电阻层。选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一被去除，使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上。

主权项

一种制造存储器件的方法，所述方法包含：在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层；蚀刻所述初级选择器件层、所述初级中间电极层和所述初级可变电阻层，由此形成顺序层叠在所述基板上的选择器件、中间电极和可变电阻层；去除所述选择器件的侧部分和所述可变电阻层的侧部分的至少之一使得所述中间电极的在平行于所述基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于所述可变电阻层的在所述第一方向上的第二宽度或所述选择器件的在所述第一方向上的第三宽度；以及在所述选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和所述可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上形成盖层。