[发明专利]存储器件以及制造存储器件的方法

权利要求书

1.一种存储器件，包含：

在平行于基板的顶部的第一方向上延伸的多条第一字线；

在第二方向上延伸的多条位线，所述第二方向不同于所述第一方向；

分别布置在所述多条位线和所述多条第一字线之间的交叉点处的多个存储单元，所述多个存储单元的每个包括选择器件、中间电极和可变电阻层，其中每个所述可变电阻层的侧壁包括朝向内侧凹进的凹入部分，使得所述可变电阻层的上部和下部的至少一个宽度大于所述可变电阻层的中间部分的宽度；

设置在每个所述可变电阻层的包括所述凹入部分的所述侧壁上的第一盖层；

设置在每个所述选择器件的侧壁上的第二盖层；以及

绝缘图案，在所述多个存储单元当中的两个相邻的存储单元之间以及在所述多条位线当中的两条相邻的位线之间，所述绝缘图案包括具有比所述第一盖层的介电常数小的介电常数的材料，

其中所述选择器件在所述第一方向上的第一宽度大于所述可变电阻层在所述第一方向上的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述中间电极在所述第一方向上的第三宽度大于所述可变电阻层在所述第一方向上的所述第二宽度或所述选择器件在所述第一方向上的所述第一宽度。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述中间电极的侧壁与所述第一盖层的侧壁或所述第二盖层的侧壁对准。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中空气间隔物设置在所述绝缘图案中。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述绝缘图案在所述第一盖层的侧壁和所述第二盖层的侧壁上并且不接触所述可变电阻层和所述选择器件。

6.根据权利要求1所述的存储器件，还包括在所述第一盖层与所述可变电阻层之间的绝缘衬层。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第二盖层包括硅氮化物，并且所述绝缘图案包括BPSG、PSG、USG、FSG、SOG、FOX、TEOS、PE-TEOS、HDP-CVD氧化物、FSG和SiOC中的至少一种。

8.一种存储器件，包括：

基板；

设置在所述基板上的绝缘夹层；

设置在所述绝缘夹层上的字线；

设置在所述字线上的底部电极；

设置在所述底部电极上的选择器件；

设置在所述选择器件上的中间电极；

设置在所述中间电极上的可变电阻层，其中第一盖层设置在所述可变电阻层的侧壁上；

设置在所述可变电阻层上的顶部电极；

设置在所述顶部电极上并在平行于所述基板的顶表面的第一方向上延伸的位线；

设置在所述选择器件的侧壁上的第二盖层；以及

设置在所述第一盖层、所述第二盖层、所述中间电极和所述位线中的每个的侧壁上的绝缘图案，所述绝缘图案包括具有比所述第一盖层的介电常数小的介电常数的材料，

其中所述可变电阻层的所述侧壁包括朝向内侧凹进的凹入部分，使得所述可变电阻层的上部和下部的宽度都大于所述可变电阻层的中间部分的宽度，以及

其中所述选择器件在所述第一方向上的第一宽度大于所述可变电阻层在所述第一方向上的第二宽度。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中所述第一盖层在所述第一方向上具有第一厚度，所述第二盖层在所述第一方向上具有第二厚度，并且所述第二厚度小于所述第一厚度。

10.根据权利要求8所述的存储器件，其中所述字线在所述第一方向上具有第三宽度，

其中所述第三宽度大于所述第一宽度或所述第二宽度。

11.根据权利要求8所述的存储器件，其中所述绝缘图案通过所述第二盖层与所述选择器件的所述侧壁分离，以及其中所述绝缘图案通过所述第一盖层与所述可变电阻层的所述侧壁分离。