[发明专利]存储器件以及制造存储器件的方法

说明书

本发明公开了存储器件及其制造方法。一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层并且然后蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成选择器件、中间电极和可变电阻层。选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一被去除，使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上。

技术领域

本发明构思的示例性实施方式涉及存储器件，更具体而言，涉及制造存储器件的方法。

背景技术

随着电子产品变轻、变薄和小型化的趋势，对半导体器件的高集成的需要增加。已经提出了具有在其中存储单元设置在两个电极之间的交叉点处的三维(3D)交叉点结构的存储器件。当按比例缩小具有交叉点结构的存储器件时，在每个存储器件中的基本上所有层的宽度和/或厚度也会被减小。因而，按比例减小的存储器件的电特性和可靠性会降低。

发明内容

本发明构思的示例性实施方式提供具有交叉点阵列类型的存储器件以及制造该存储器件的方法，该存储器件可以具有优良的电特性和提高的可靠性。

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层。蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成顺序层叠在基板上的选择器件、中间电极和可变电阻层。去除选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁中的至少之一上。

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种制造存储器件的方法包括在基板上顺序地形成初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层。蚀刻初级选择器件层、初级中间电极层和初级可变电阻层，由此形成顺序层叠在基板上的选择器件、中间电极和可变电阻层。去除选择器件的侧部分和可变电阻层的侧部分的至少之一，使得中间电极在平行于基板的顶部的第一方向上的第一宽度大于可变电阻层在第一方向上的第二宽度或选择器件在第一方向上的第三宽度。盖层形成在选择器件的被蚀刻的侧部分的侧壁和可变电阻层的被蚀刻的侧部分的侧壁的至少之一上。绝缘图案通过使用具有小于盖层的介电常数的介电常数的材料而形成在盖层的侧壁和中间电极的侧壁上。

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种存储器件包括在平行于基板的顶部的第一方向上延伸的多条第一字线。多条位线在基板上在第二方向上延伸，第二方向不同于第一方向。多个存储单元分别布置在所述多条位线和所述多条第一字线之间的交叉点处，所述多个存储单元的每个包括选择器件、中间电极和可变电阻层。第一盖层设置在每个可变电阻层的凹入部分的侧壁上并且第二盖层设置在每个选择器件的凹入部分的侧壁上。第二盖层与第一盖层被间隔开。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施方式，本发明构思的以上和其它特征将变得更明显，在图中：

图1是根据本发明构思的一示例性实施方式的存储器件的等效电路图；

图2是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的存储器件的透视图；

图3是沿图2的线X1-X1'和线Y1-Y1'截取的截面图；

图4是沿图2的线X2-X2'和线Y2-Y2'截取的截面图；

图5是示意性地显示具有双向阈值开关(OTS)特性的OTS器件的电压-电流曲线的曲线图；

图6是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的存储器件的截面图；

图7是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的存储器件的截面图；