[发明专利]半导体结构及制造其的方法有效
| 申请号： | 201710057592.4 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107068856B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 宋福庭;闵仲强;曾元泰;徐晨佑;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露涉及半导体结构及制造其的方法。具体的，本揭露的一些实施例揭露一种半导体结构，其包括第N金属层；底部电极，其在所述第N金属层上方；磁性穿遂结MTJ，其在所述底部电极上方；顶部电极，其在所述MTJ上方；以及第(N+M)金属层，其在所述第N金属层上方。N以及M为正整数。所述第(N+M)金属层环绕所述顶部电极的侧壁的一部分。还提供一种形成所述半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包含：第N金属层；底部电极，其在所述第N金属层上方；磁性穿隧结MTJ，其在所述底部电极上方；顶部电极，其在所述MTJ上方；及第(N+M)金属层，其在所述第N金属层上方，N以及M为正整数，其中所述第(N+M)金属层环绕所述顶部电极的侧壁的一部分。
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