[发明专利]半导体装置以及半导体晶片的认证方法在审
申请号: | 201710057211.2 | 申请日: | 2017-01-26 |
公开(公告)号: | CN107038130A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 永井享浩;渡边浩志;白田理一郎 | 申请(专利权)人: | 渡边浩志 |
主分类号: | G06F12/14 | 分类号: | G06F12/14 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)11301 | 代理人: | 张俊阁 |
地址: | 日本神奈川县横滨*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种包括一半导体晶片的半导体装置,该半导体晶片包括一模组区域和一测试电路。该模组区域包括多个模组区块,各模组区块包括一记忆胞阵列及一周边记忆体区域,该记忆胞阵列具有冗余位元线,而该周边记忆体区域至少储存冗余位址。该测试电路读取该半导体晶片固有的冗余位址,该冗余位址的分布以乱数方式所产生的相关于该模组区域的部份或全部模组区块的位址。其中,该测试电路根据由一实体晶片认证(PCI)测量装置所接收的一指定码,而将一乱数输出至该半导体晶片,该乱数依据该半导体晶片固有的实体特性所产生。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 晶片 认证 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于:包括:一半导体晶片,包括:一模组区域,该模组区域包括多个模组区块,各模组区块包括一记忆胞阵列及一周边记忆体区域,该记忆胞阵列具有冗余位元线,而该周边记忆体区域至少储存冗余位址;及一测试电路,读取该半导体晶片固有的冗余位址,其中,该冗余位址的分布以乱数方式所产生的相关于该模组区域的部份或全部模组区块的位址,其中,该测试电路根据由一实体晶片认证测量装置所接收的一指定码,而将一乱数输出至该半导体晶片,该乱数依据该半导体晶片固有的实体特性所产。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于渡边浩志,未经渡边浩志许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710057211.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种节能型控速装置
- 下一篇:一种印刷专用的可以自清洁型输纸辊