[发明专利]半导体装置以及半导体晶片的认证方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：包括：

一半导体晶片，包括：

一模组区域，该模组区域包括多个模组区块，各模组区块包括一记忆胞阵列及一周边记忆体区域，该记忆胞阵列具有冗余位元线，而该周边记忆体区域至少储存冗余位址；及

一测试电路，读取该半导体晶片固有的冗余位址，其中，该冗余位址的分布以乱数方式所产生的相关于该模组区域的部份或全部模组区块的位址，

其中，该测试电路根据由一实体晶片认证测量装置所接收的一指定码，而将一乱数输出至该半导体晶片，该乱数依据该半导体晶片固有的实体特性所产。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：该半导体晶片另外包括一数位码产生电路，该数位码产生电路根据一特定方式使用该乱数产生一输出认证码。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：该测试电路将该乱数与一输入认证码相组合，使得该数位码产生电路产生该输出认证码，其中，该输入认证码由该实体晶片认证测量装置接收。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：该数位码产生电路该半导体晶片内建的电路，并且为可程序修改。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：该数位码产生电路根据该乱数产生一输出认证码，且该输出认证码传送至该实体晶片认证测量装置。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：该数位码产生电路根据该乱数产生该输出认证码，且该输出认证码传送至该实体晶片认证测量装置。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：该模组区域为一半导体记忆体区域。

8.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：用以产生该乱数的该模组区域为一半导体记忆体区域。

9.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：该半导体晶片封装于一封装体，而该输出认证码作为该封装体的该输出认证码。

10.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：该半导体晶片封装于一封装体，而该输出认证码作为该封装体的该输出认证码。

11.一种使用一实体晶片认证测量装置对一半导体晶片认证的方法，其特征在于：包括：

由该实体晶片认证测量装置传送一指定码至该半导体晶片；

由该半导体晶片输出一输出认证码；

由该实体晶片认证测量装置接收该输出认证码；以及

由该实体晶片认证测量装置识别该半导体晶片。

12.一种使用一实体晶片认证测量装置对一半导体晶片认证的方法，其特征在于：包括：

由该实体晶片认证测量装置传送一指定码及一输入认证码至该半导体晶片；

由该半导体晶片输出一输出认证码；

由该实体晶片认证测量装置接收该输出认证码；以及

由该实体晶片认证测量装置识别该半导体晶片。