[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710045042.0 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108346566B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王贤超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L23/053;H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：在第一电极层上形成牺牲层，所述牺牲层具有凹槽，所述凹槽具有尖的底部；在所述牺牲层上形成第二电极层，所述第二电极层具有露出所述凹槽的第一开口；形成支撑层以填充所述凹槽和所述第一开口并覆盖所述第二电极层，其中所述凹槽中填充的支撑层作为阻挡部；在所述支撑层和所述第二电极层中形成第二开口，所述第二开口使得所述牺牲层露出；去除所述牺牲层的一部分，从而形成空腔。本发明可以改善阻挡部的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在第一电极层上形成牺牲层，所述牺牲层具有凹槽，所述凹槽具有尖的底部；在所述牺牲层上形成第二电极层，所述第二电极层具有露出所述凹槽的第一开口；形成支撑层以填充所述凹槽和所述第一开口并覆盖所述第二电极层，其中所述凹槽中填充的支撑层作为阻挡部；在所述支撑层和所述第二电极层中形成第二开口，所述第二开口使得所述牺牲层露出；去除所述牺牲层的一部分，从而形成空腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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