[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在第一电极层上形成牺牲层，所述牺牲层具有凹槽，所述凹槽具有尖的底部；

在所述牺牲层上形成第二电极层，所述第二电极层具有露出所述凹槽的第一开口；

形成支撑层以填充所述凹槽和所述第一开口并覆盖所述第二电极层，其中所述凹槽中填充的支撑层作为阻挡部，所述阻挡部具有尖的底部；

在所述支撑层和所述第二电极层中形成第二开口，所述第二开口使得所述牺牲层露出；

去除所述牺牲层的一部分，从而形成空腔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一电极层上形成牺牲层包括：

在所述第一电极层上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层具有延伸到所述第一电极层的第三开口；

沉积第二牺牲层以完全地填充所述第三开口，其中，位于所述第三开口上方的所述第二牺牲层中与所述第三开口对应的部分具有所述凹槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

根据所述阻挡部的目标高度、所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的总的目标厚度调整所述第一牺牲层的厚度、所述第三开口的深宽比和所述第二牺牲层的厚度，以使得所述第二牺牲层完全地填充所述第三开口，并使得所述凹槽的深度等于所述阻挡部的目标高度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述阻挡部的目标高度、所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的总的目标厚度调整所述第一牺牲层的厚度、所述第三开口的深宽比和所述第二牺牲层的厚度包括：

根据所述阻挡部的目标高度确定所述第一牺牲层的厚度，所述第一牺牲层的厚度大于所述阻挡部的目标高度；

确定所述第三开口的深宽比，并根据所述第三开口的深宽比和所述第一牺牲层的厚度确定所述第三开口的宽度；

根据所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的总的目标厚度以及所述第一牺牲层的厚度确定所述第二牺牲层的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极层具有贯穿所述第一电极层的通孔。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述牺牲层上形成第二电极层包括：

在所述牺牲层的表面和所述凹槽的表面上沉积第二电极材料层；

对所述第二电极材料层进行图案化，以去除所述凹槽的表面上的第二电极材料层，剩余的第二电极材料层作为所述第二电极层。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的材料相同或不同。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层和/或所述第二牺牲层的材料包括电介质材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述电介质材料包括硅的氧化物、硅的氮氧化物或正硅酸乙酯。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极层和/或所述第二电极层的材料包括多晶硅或单晶硅。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用缓冲氧化物刻蚀液去除所述牺牲层的一部分。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑层的材料包括硅的氮化物。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽和/或所述第二开口的数量为多个。