[发明专利]半导体封装体及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体封装体及其制造方法，该制造方法包含：提供具有第一表面以及相对第一表面的第二表面的中介层，其中中介层包含多个贯通特征，嵌入在中介层中且自中介层的第一表面朝向第二表面延伸，其中贯通特征可形成具有多个重复的多边形单元的图样，且贯通特征中至少部分可被涵括在至少两个相异的多边形单元中；接续地，在中介层的第一表面形成至少一个重分布层，以在重分布层远离中介层的表面形成多个端子，其中端子分别选择性地连接至贯通特征中的对应者；以及，在重分布层上设置包含多个主动表面的半导体元件，主动表面分别与端子电性连接。本发明可节省制造半导体封装体所需的成本，特别是制造中介层贯通特征遮罩的成本。

主权项

一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，包含：提供中介层，具有第一表面以及相对所述第一表面的第二表面，其中所述中介层包含M个第一贯通特征，嵌入在所述中介层中，且所述M个第一贯通特征自所述中介层的所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中所述M个第一贯通特征形成具有多个多边形单元的图样，其中所述图样的所述多个多边形单元是重复的，且所述M个第一贯通特征中至少N个被配置成被涵括在至少两个相异的所述多个多边形单元中，其中M大于或等于N；在所述中介层的所述第一表面形成至少一个第一重分布层，以在所述第一重分布层远离所述中介层的表面形成多个第一端子，其中所述多个第一端子分别被配置成选择性地连接至所述多个第一贯通特征中的对应者；以及在所述第一重分布层上设置至少一个半导体元件，其中所述半导体元件包含多个主动表面，分别与所述多个第一端子电性连接。