[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底及位于衬底上的鳍部，衬底包括第一区域、环绕第一区域且与第一区域相邻的第二区域，第一区域具有发射极，第二区域具有基极，鳍部延伸方向为第一方向，垂直于第一方向的为第二方向；栅极结构，沿第二方向横跨第一区域和第二区域鳍部；第一掺杂区，位于第一区域栅极结构两侧鳍部内；第二掺杂区，位于第二区域栅极结构两侧鳍部内；第一导电结构，沿第二方向延伸且与第一掺杂区电连接；第二导电结构，沿第二方向延伸且与第二掺杂区电连接；第三导电结构，沿第一方向横跨第二区域栅极结构且与栅极结构电连接，第三导电结构与第二导电结构电连接。通过本发明所述半导体结构，可提高半导体结构的放大倍数。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述衬底包括第一区域、以及环绕所述第一区域且与所述第一区域相邻的第二区域，所述第一区域具有发射极，所述第二区域具有基极；所述鳍部的延伸方向为第一方向，垂直于所述第一方向的为第二方向；横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面，所述栅极结构沿所述第二方向横跨所述第一区域和第二区域；第一掺杂区，位于所述第一区域栅极结构两侧的鳍部内，所述第一掺杂区内具有第一离子；第二掺杂区，位于所述第二区域栅极结构两侧的鳍部内，所述第二掺杂区内具有第二离子，且所述第二离子的类型与所述第一离子的类型不同；第一导电结构，所述第一导电结构沿所述第二方向延伸且与所述第一掺杂区电连接；第二导电结构，所述第二导电结构沿所述第二方向延伸且与所述第二掺杂区电连接；位于所述第二区域栅极结构顶部上的第三导电结构，所述第三导电结构沿所述第一方向横跨所述第二区域的栅极结构且与所述栅极结构电连接，且所述第三导电结构和所述第二导电结构电连接。