[发明专利]半导体晶片、半导体结构及制造半导体晶片的方法

摘要

本发明公开了半导体晶片、半导体结构及制造半导体晶片的方法。该半导体晶片包括：包含彼此相对的第一和第二表面的主体；包含在外周上的凹陷的凹口；沿主体的外周形成的第一倒角区域，第一倒角区域包括第一斜坡，第一斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第一斜坡交汇的第一点到第二表面和第一斜坡交汇的第二点延伸的直线具有第一高度；以及与凹陷或开口接触的第二倒角区域，第二倒角区域包括第二斜坡，第二斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第二斜坡交汇的第三点到第二表面和第二斜坡交汇的第四点延伸的直线具有不同于第一高度的第二高度。

主权项

一种制造半导体晶片的方法，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面以及在所述半导体晶片的外周上的凹口，所述凹口包括朝向所述半导体晶片的中心部分的在所述外周上的凹陷；通过处理所述半导体晶片的所述外周形成第一倒角区域，所述第一倒角区域包括连接所述第一表面和所述第二表面的第一斜坡，所述第一斜坡相对于从第一点到第二点延伸的直线具有第一高度，所述第一点是所述第一表面和所述第一斜坡交汇的点，所述第二点是所述第二表面和所述第一斜坡交汇的点；以及通过处理所述凹口形成第二倒角区域，所述第二倒角区域接触所述凹陷，所述第二倒角区域包括连接所述第一表面和所述第二表面的第二斜坡，所述第二斜坡相对于从第三点到第四点延伸的直线具有不同于所述第一高度的第二高度，所述第三点是所述第一表面和所述第二斜坡交汇的点，以及所述第四点是所述第二表面和所述第二斜坡交汇的点。