[发明专利]一种超级结器件、芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710003578.6 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN108269858B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L27/06;H01L21/82;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体领域，提供了一种超级结器件、芯片及其制备方法，该器件包括衬底、缓冲层、第二导电类型沟道、第二导电类型重掺杂区和源极，其特征在于，所述器件还包括第一导电类型漂移区、氧化层和栅极，以及通过挖槽后填入第二导电类型硅或多次外延形成的第二导电类型柱，所述第二导电类型柱通过电阻与源极电位连接，所述第二导电类型柱与漏极电位之间形成电容，所述电阻与所述电容形成RC缓冲器从而改善EMI性能。本发明在P柱通过电阻与源极电位连接，使第二导电类型柱与漏极电位之间形成电容，通过该电阻与电容形成RC缓冲器从而改善EMI性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 器件 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超级结器件，包括衬底、缓冲层、第二导电类型沟道、第二导电类型重掺杂区和源极，其特征在于，所述器件还包括第一导电类型漂移区、氧化层和栅极，以及通过挖槽后填入第二导电类型硅或多次外延形成的第二导电类型柱，所述第二导电类型柱通过电阻与源极电位连接，所述第二导电类型柱与漏极电位之间形成电容，所述电阻与所述电容形成RC缓冲器从而改善EMI性能。
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