[发明专利]一种超级结器件、芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种超级结器件，包括衬底、缓冲层、第二导电类型沟道、第二导电类型重掺杂区和源极，其特征在于，所述器件还包括第一导电类型漂移区、氧化层和栅极，以及通过挖槽后填入第二导电类型硅或多次外延形成的第二导电类型柱，所述第二导电类型柱通过电阻与源极电位连接，所述第二导电类型柱与漏极电位之间形成电容，所述电阻与所述电容形成RC缓冲器从而改善EMI性能；

所述第二导电类型柱包括两第一掺杂区和一第二掺杂区，所述第二掺杂区形成于所述第一导电类型漂移区中，并将所述第一导电类型漂移区分隔为相等的两部分，所述第二掺杂区位于两第一导电类型漂移区之间，所述第一掺杂区位于两第一导电类型漂移区的两侧；

所述第一掺杂区直接与Pbody、源极连接，所述第二掺杂区通过电阻与源极连接；

所述第一掺杂区与和所述第二掺杂区的掺杂类型相同，掺杂浓度也相同；

所述栅极为平面栅结构或多槽栅结构；

所述栅极横跨于所述第二掺杂区以及两侧的第一导电类型漂移区之上；或

所述栅极包括第一栅极段和第二栅极段，所述第一栅极段和所述第二栅极段等电位，且均与栅极电位连接，所述第一栅极段、第二栅极段分别横跨于所述第二掺杂区两侧的第一导电类型漂移区之上。

2.一种超级结器件，包括衬底、缓冲层、第二导电类型沟道、第二导电类型重掺杂区和源极，其特征在于，所述器件还包括第一导电类型漂移区、氧化层和栅极，以及通过挖槽后填入第二导电类型硅或多次外延形成的第二导电类型柱，所述第二导电类型柱通过电阻与源极电位连接，所述第二导电类型柱与漏极电位之间形成电容，所述电阻与所述电容形成RC缓冲器从而改善EMI性能；

所述第二导电类型柱包括两第一掺杂区与、一第二掺杂区和一第三掺杂区，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区均形成于所述第一导电类型漂移区中，并将所述第一导电类型漂移区分隔为相等的三部分，所述第二掺杂区与一第一掺杂区与之间具有一第一导电类型漂移区，所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间具有另一第一导电类型漂移区，所述第三掺杂区与另一第一掺杂区与之间具有又一第一导电类型漂移区；

所述第一掺杂区直接与Pbody、源极连接，所述第二掺杂区通过第一电阻R1与源极连接，所述第三掺杂区通过第二电阻R2与源极连接；

所述第一掺杂区与、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区的掺杂类型相同，掺杂浓度也相同；

所述栅极为平面栅结构或多槽栅结构，所述栅极横跨于所述第二掺杂区、所述第三掺杂区以及被分隔为三部分的第一导电类型漂移区之上。

3.一种超级结器件，包括衬底、缓冲层、第二导电类型沟道、第二导电类型重掺杂区和源极，其特征在于，所述器件还包括第一导电类型漂移区、氧化层和栅极，以及通过挖槽后填入第二导电类型硅或多次外延形成的第二导电类型柱，所述第二导电类型柱通过电阻与源极电位连接，所述第二导电类型柱与漏极电位之间形成电容，所述电阻与所述电容形成RC缓冲器从而改善EMI性能；

所述第二导电类型柱包括两第一掺杂区和一第二掺杂区，所述第一掺杂区直接与Pbody、源极连接，所述第二掺杂区通过电阻与源极连接，所述第一掺杂区与和所述第二掺杂区的掺杂类型相同，掺杂浓度也相同；

所述第一导电类型漂移区包括参与导电的第一导电类型漂移区和不参与导电的第一导电类型漂移区；

所述第二掺杂区形成于所述不参与导电的第一导电类型漂移区中，并将所述不参与导电的第一导电类型漂移区分隔为相等的两部分，所述第二掺杂区位于两不参与导电的第一导电类型漂移区之间，每一不参与导电的第一导电类型漂移区与所述参与导电的第一导电类型漂移区之间具有所述第一掺杂区，每一参与导电的第一导电类型漂移区的两侧具有所述第一掺杂区；

多段所述栅极横跨于每一参与导电的第一导电类型漂移区上。

4.一种超级结芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1 -3任一项所述的超级结器件，所述第一掺杂区通过多个金属通孔直接与金属和源极连接；

所述第二掺杂区在所述芯片内、所述芯片表面或所述芯片外通过电阻与源极连接。