[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710002822.7 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106783887B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 占建英;冯思林;张俊;沈奇雨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可提高显示效果。所述阵列基板包括:GOA区域,所述GOA区域设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括依次设置在衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极;所述阵列基板还包括依次设置在所述源极和所述漏极远离所述衬底一侧的钝化层和导电层;其中,所述导电层在所述衬底上的正投影与所述有源层在所述衬底上的正投影重叠。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,包括GOA区域,所述GOA区域设置有薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括依次设置在衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极;所述阵列基板还包括依次设置在所述源极和所述漏极远离所述衬底一侧的钝化层和导电层;/n其中,所述导电层在所述衬底上的正投影与所述有源层在所述衬底上的正投影重叠;/n所述导电层在有源层与栅绝缘层界面处形成有导电层背沟道,在有源层与钝化层界面处形成有导电层前沟道,向所述导电层输入低电压信号,当所述薄膜晶体管关闭时,所述导电层背沟道产生的漏电流与栅极前沟道产生的漏电流相互作用而抵消,所述导电层前沟道产生的漏电流与栅极背沟道产生的漏电流相互作用而抵消,以降低所述GOA区域内薄膜晶体管的漏电流;/n所述导电层包括镂空部分,所述镂空部分内设置有导电结构,所述导电结构与所述导电层绝缘;/n所述钝化层上设置有过孔,所述导电结构通过所述过孔与所述漏极电连接;/n所述导电结构用作测试电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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