[发明专利]具有对深源极/漏极半导体的后侧互连的集成电路设备有效
| 申请号： | 201680090659.8 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN109906513B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | P.莫罗;M.J.科布林斯基;M.T.博尔;T.加尼;R.梅汉德鲁 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 晶体管单元架构包括前侧和后侧结构两者。晶体管可以包括：一个或多个半导体鳍部，其具有沿着鳍部的沟道部分的侧壁设置的栅极堆叠。蚀刻该鳍部的一个或多个源极/漏极区域，以形成具有在沟道区域以下的深度的凹槽。该凹槽可以贯穿整个鳍部高度。然后将源极/漏极半导体沉积在凹槽内，从而将沟道区域耦合到深源极/漏极。处理晶体管的后侧以显露深源极/漏极半导体材料。一个或多个后侧互连金属喷镀层级可以耦合到晶体管的深源极/漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 深源极 半导体 互连 集成电路 设备 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管单元，其包括：半导体本体，其贯穿隔离电介质；栅极电极，其设置在所述半导体本体的沟道区域上面，所述半导体本体延伸超出所述隔离电介质的前侧；半导体源极/漏极区域，其电耦合到所述沟道区域，其中所述半导体源极/漏极区域包括至少一个深源极/漏极区域，所述至少一个深源极/漏极区域延伸到所述沟道区域的深度以下的深度；一个或多个前侧互连金属喷镀层级，其设置在所述隔离电介质的前侧上面且耦合到所述源极/漏极区域或所述栅极电极中的至少一个；以及一个或多个后侧互连金属喷镀层级，其设置在所述隔离电介质的后侧上面且电耦合所述深源极/漏极区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680090659.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
