[发明专利]溅射沉积源、溅射沉积设备和操作溅射沉积源的方法有效
| 申请号： | 201680086705.7 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109314035B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·林登贝格;沃尔夫冈·布什贝克;德烈亚斯·勒普 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本公开内容的一个方面，提供一种溅射沉积源(100)，所述溅射沉积源(100)具有至少一个电极组件(120)，所述至少一个电极组件(120)经构造以用于双侧溅射沉积。所述电极组件(120)包括：阴极(125)，用于提供待沉积的靶材材料，其中所述阴极经构造以用于在第一沉积侧(10)上产生第一等离子体(131)和在与第一沉积侧(10)相对的第二沉积侧(11)上产生第二等离子体(141)；和阳极组件(130)，具有至少一个第一阳极(132)和至少一个第二阳极(142)，所述至少一个第一阳极(132)布置于所述第一沉积侧(10)上，以影响所述第一等离子体，所述至少一个第二阳极(142)布置于所述第二沉积侧(11)上，以影响所述第二等离子体。根据第二方面，提供一种具有溅射沉积源的沉积设备。此外，提供操作溅射沉积源的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 沉积 设备 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射沉积源(100,200,300,400,500,600,700)，包括至少一个电极组件(120)，所述至少一个电极组件(120)经构造以用于双侧溅射沉积，其中所述至少一个电极组件(120)包括：阴极(125)，用于提供待沉积的靶材材料，其中所述阴极经构造以用于在第一沉积侧(10)上产生第一等离子体(131)并在第二沉积侧(11)上产生第二等离子体(141)，所述第二沉积侧(11)相对于所述第一沉积侧(10)；和阳极组件(130)，具有至少一个第一阳极(132)和至少一个第二阳极(142)，所述至少一个第一阳极(132)布置于所述第一沉积侧(10)上，以影响所述第一等离子体(131)，所述至少一个第二阳极(142)布置于所述第二沉积侧(11)上，以影响所述第二等离子体(141)。
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