[发明专利]溅射沉积源、溅射沉积设备和操作溅射沉积源的方法

说明书

根据本公开内容的一个方面，提供一种溅射沉积源(100)，所述溅射沉积源(100)具有至少一个电极组件(120)，所述至少一个电极组件(120)经构造以用于双侧溅射沉积。所述电极组件(120)包括：阴极(125)，用于提供待沉积的靶材材料，其中所述阴极经构造以用于在第一沉积侧(10)上产生第一等离子体(131)和在与第一沉积侧(10)相对的第二沉积侧(11)上产生第二等离子体(141)；和阳极组件(130)，具有至少一个第一阳极(132)和至少一个第二阳极(142)，所述至少一个第一阳极(132)布置于所述第一沉积侧(10)上，以影响所述第一等离子体，所述至少一个第二阳极(142)布置于所述第二沉积侧(11)上，以影响所述第二等离子体。根据第二方面，提供一种具有溅射沉积源的沉积设备。此外，提供操作溅射沉积源的方法。

技术领域

本公开内容涉及一种溅射沉积源，所述溅射沉积源经构造以用于双侧溅射沉积。特别地，溅射沉积源可经构造以用于涂覆布置于溅射沉积源的第一沉积侧上的第一基板并用于涂覆布置于溅射沉积源的第二沉积侧上的第二基板。本公开内容进一步涉及通过溅射来用一个或多个薄层涂覆基板，以及涉及操作溅射沉积源的方法。本公开内容进一步涉及一种沉积设备，所述沉积设备包括溅射沉积源。

背景技术

在基板上形成具有高均匀性(也就是在遍及延展的表面的均匀的厚度和均匀的电性质)是在许多技术领域中的相关议题。例如，在薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)的领域中，厚度均匀性和电性质均匀性可以是对于可靠地制造显示通道区域的议题。此外，均匀层典型地有利于制造的重现性。

一种用于在基板上形成层的方法是溅射，溅射已经在多种制造领域中发展成有价值的方法，例如在TFT制造中。在溅射期间，通过利用等离子体的能量粒子(例如惰性或反应气体的受激(energized)离子)轰击溅射靶材，原子从溅射靶材射出。射出的原子可沉积于基板上，使得可在基板上形成溅射的材料层。

溅射沉积源可以包括至少一个阴极和至少一个阳极组件，至少一个阴极包括靶材以用于提供将沉积于基板上的涂覆材料。可在阴极和阳极组件之间施加电场，使得位于阴极和阳极组件之间的气体离子化并产生等离子体。涂覆材料由等离子体离子通过靶材的溅射而提供。

例如，由于随着时间改变的等离子体特性(这可导致溅射的材料的不规则空间分布)，可能难以实现遍及大基板表面或从基板至基板的均匀的溅射材料层。溅射速度可通过提供阴极的阵列增大。然而，可靠地控制两个或更多个等离子体云的性质可能是困难的。从基板至基板的层均匀性可能改变。

因此，针对有助于溅射的材料的高度均匀的层的溅射沉积源和溅射设备是有利的。

发明内容

鉴于上述，提供一种溅射沉积源、一种沉积设备以及操作溅射沉积源和沉积设备的方法。

根据本公开内容的一个方面，提出一种溅射沉积源。溅射沉积源包括至少一个电极组件，所述至少一个电极组件经构造以用于双侧溅射沉积，其中所述至少一个电极组件包括：阴极，用于提供待沉积的靶材材料，其中阴极经构造以用于在第一沉积侧上产生第一等离子体和在第二沉积侧上产生第二等离子体，第二沉积侧相对于第一沉积侧；和阳极组件，具有至少一个第一阳极和至少一个第二阳极，所述至少一个第一阳极布置于第一沉积侧上，以影响第一等离子体，所述至少一个第二阳极布置于第二沉积侧上，以影响第二等离子体。