[发明专利]溅射沉积源、溅射沉积设备和操作溅射沉积源的方法

权利要求书

1.一种溅射沉积源(100,200,300,400,500,600,700)，包括至少一个电极组件(120)，所述至少一个电极组件(120)经构造以用于双侧溅射沉积，其中所述至少一个电极组件(120)包括：

阴极(125)，用于提供待沉积的靶材材料，其中所述阴极经构造以用于在第一沉积侧(10)上产生第一等离子体(131)并在第二沉积侧(11)上产生第二等离子体(141)，所述第二沉积侧(11)相对于所述第一沉积侧(10)，其中所述阴极(125)是可旋转阴极，其中第一磁体组件和第二磁体组件布置于所述可旋转阴极的内侧，所述第一磁体组件经构造以用于影响在所述第一沉积侧(10)上的所述第一等离子体(131)，并且所述第二磁体组件经构造以用于影响在所述第二沉积侧(11)上的所述第二等离子体(141)；和

阳极组件(130)，具有至少一个第一阳极(132)和至少一个第二阳极(142)，所述至少一个第一阳极(132)布置于所述第一沉积侧(10)上，以影响所述第一等离子体(131)，所述至少一个第二阳极(142)布置于所述第二沉积侧(11)上，以影响所述第二等离子体(141)；

并且所述溅射沉积源进一步包括：功率布置(310)，经构造以用于供电给所述至少一个电极组件(120)，其中所述功率布置(310)经构造以用于将所述至少一个第一阳极(132)连接于第一阳极电位(P1)和用于将所述至少一个第二阳极(142)连接于第二阳极电位(P2)。

2.如权利要求1所述的溅射沉积源，其中所述阳极组件(130)包括两个第一阳极(231,232)和两个第二阳极(241,242)，所述两个第一阳极(231,232)布置于所述第一沉积侧(10)上，以影响所述第一等离子体(131)，所述两个第二阳极(241,242)布置于所述第二沉积侧(11)上，以影响所述第二等离子体(141)。

3.如权利要求2所述的溅射沉积源，其中具有一个、两个或更多个壁区段(161,162)的分隔壁(160)布置在所述第一沉积侧(10)与所述第二沉积侧(11)之间。

4.如权利要求1所述的溅射沉积源，其中所述阴极(125)是可旋转圆柱阴极。

5.如权利要求1所述的溅射沉积源，进一步包括：

第一基板保持区域，位于所述第一沉积侧(10)上，用于保持待涂覆的第一基板(151)，以使所述第一基板(151)面对所述第一等离子体(131)；和

第二基板保持区域，位于所述第二沉积侧(11)上，用于保持待涂覆的第二基板(152)，以使所述第二基板(152)面对所述第二等离子体(141)；

其中所述阴极(125)实质上位于所述第一基板保持区域与所述第二基板保持区域之间的中心。

6.如权利要求1所述的溅射沉积源，其中所述功率布置(310)进一步经构造以用于将所述阴极(125)连接于阴极电位(P)。

7.如权利要求1所述的溅射沉积源，其中所述功率布置(310)包括：

第一电源(311)，连接于所述阴极(125)和所述至少一个第一阳极(132)，用于调整施加于所述阴极和所述至少一个第一阳极之间的第一电场；和

第二电源(312)，连接于所述阴极(125)和所述至少一个第二阳极(142)，用于调整施加于所述阴极和所述至少一个第二阳极之间的第二电场。

8.如权利要求1所述的溅射沉积源，其中所述功率布置(310)包括：

第一电连接(313)，将所述至少一个第一阳极(132)连接于第一阳极电位(P1)；

第二电连接(314)，将所述至少一个第二阳极(142)连接于第二阳极电位(P2)；和

至少一个可变电阻器或电位计(315)，用于调整所述第一电连接(313)的第一电阻和所述第二电连接(314)的第二电阻中的至少一个。