[发明专利]带有释放的源极和漏极的半导体装置有效
| 申请号： | 201680086334.2 | 申请日： | 2016-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109314137B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | W.拉克马迪;S.K.加德纳;C.S.莫哈帕特拉;M.V.梅茨;G.德韦;S.T.马;J.T.卡瓦利罗斯;A.S.墨菲;T.加尼 | 申请（专利权）人： | 太浩研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例大体上针对带有释放的源极和漏极的半导体装置。方法的实施例包括：蚀刻半导体装置的缓冲层，以在装置的沟道层的栅极沟道部分的底下形成栅极沟槽；用氧化物材料填充栅极沟槽，以形成氧化物隔离层；在装置的源极和漏极区的层间介电（ILD）层中蚀刻一个或多个源极/漏极接触件沟槽；在一个或多个源极/漏极接触件沟槽内蚀刻氧化物隔离层，以在源极和漏极区中的源极/漏极沟道的底下形成一个或多个腔，其中，每个接触件沟槽的蚀刻将使源极/漏极沟道的所有侧面都暴露；以及使接触件金属沉积于一个或多个接触件沟槽中，包括使接触件金属沉积于源极/漏极沟道底下的腔中。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 释放 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备半导体装置的方法，包含：蚀刻半导体装置的缓冲层，以在所述半导体装置的沟道层的栅极沟道部分的底下形成栅极沟槽；用氧化物材料填充所述栅极沟槽，以形成氧化物隔离层；在所述半导体装置的源极和漏极区的层间介电（ILD）层中蚀刻一个或多个源极/漏极接触件沟槽；在所述一个或多个源极/漏极接触件沟槽内蚀刻所述氧化物隔离层，以在所述源极和漏极区中的源极/漏极沟道的底下形成一个或多个腔，其中，每个源极/漏极接触件沟槽的所述蚀刻将使所述源极/漏极沟道的所有侧面都暴露；以及使接触件金属沉积于所述一个或多个源极/漏极接触件沟槽中，包括使所述接触件金属沉积于所述源极/漏极沟道的底下的所述一个或多个腔中。
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