[发明专利]带有释放的源极和漏极的半导体装置

说明书

实施例大体上针对带有释放的源极和漏极的半导体装置。方法的实施例包括：蚀刻半导体装置的缓冲层，以在装置的沟道层的栅极沟道部分的底下形成栅极沟槽；用氧化物材料填充栅极沟槽，以形成氧化物隔离层；在装置的源极和漏极区的层间介电（ILD）层中蚀刻一个或多个源极/漏极接触件沟槽；在一个或多个源极/漏极接触件沟槽内蚀刻氧化物隔离层，以在源极和漏极区中的源极/漏极沟道的底下形成一个或多个腔，其中，每个接触件沟槽的蚀刻将使源极/漏极沟道的所有侧面都暴露；以及使接触件金属沉积于一个或多个接触件沟槽中，包括使接触件金属沉积于源极/漏极沟道底下的腔中。

技术领域

本文中所描述的实施例通常涉及半导体装置的领域，且更具体地，涉及带有释放的（released）源极和漏极的半导体装置。

背景技术

将集成电路中的特征定标（scaling）为越来越小的大小延续为半导体设计和制备的基本要素，其中构件的密度持续上升。尤其，在半导体设计中，继续需要减小晶体管大小。

然而，随着晶体管特征大小减小为越来越小的尺寸，外电阻成为装置操作中的主导因素，且可能严重地限制晶体管性能。在最近的晶体管技术中，外电阻可能占总装置电阻的一半以上，其中外电阻随栅极间距和晶体管密度定标而不良地定标，主要因为随着装置大小的减小，源极/漏极中的金属半导体接触件的物理大小/面积迅速地减小。

附图说明

在附图的图中，在此描述的实施例通过示例的方式而非通过限制的方式来图示，在附图中，同样的参考标号指类似的元件。

图1图示根据实施例的包括形成在衬底上的多个鳍的装置的透视图；

图2图示根据实施例的在浅沟槽隔离（STI）层形成于衬底和鳍的顶部上之后的装置的透视图；

图3图示根据实施例的在鳍被凹陷以形成沟槽之后的装置的透视图；

图4图示根据实施例的在多层式堆叠件形成于沟槽中之后的装置的透视图；

图5图示根据实施例的在盖层被抛光成与STI层相同的高度之后的装置的透视图；

图6图示根据实施例的在STI层被凹陷以使多层式堆叠件内的沟道层暴露之后的装置的透视图；

图7图示根据实施例的在牺牲栅极电极和侧壁间隔物形成遍于盖层和STI层上之后的装置的透视图；

图8是根据实施例的半导体装置的图示；

图9A-9C图示根据实施例的在介电材料被涂敷之后的装置的视图；

图10A-10C图示根据实施例的继去除牺牲栅极电极和虚设氧化物之后的装置的视图；

图11A-11C图示继蚀刻副鳍层之后的装置的视图；

图12A-12C图示根据实施例的带有副鳍氧化物层的装置的视图；

图13A-13C图示根据实施例的带有栅极电极以及源极和漏极沟槽的装置的视图；

图14A-14C图示根据实施例的带有副鳍腔的装置的视图；

图15A-15C图示根据实施例的带有释放的源极和漏极的装置的视图；

图16A和图16B是图示根据实施例用于制备带有释放的源极/漏极的半导体装置的过程的流程图；以及

图17是根据实施例的包括半导体元件的设备或系统的实施例的图示。

具体实施方式

本文中所描述的实施例大体上针对带有释放的源极和漏极的半导体装置。

出于本描述的目的：