[发明专利]半导体加工中的原位校准结构和使用方法有效
| 申请号： | 201680080663.6 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN108604558B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 肖恩·P·基尔科因;罗伯特·M·爱默生;迈克尔·V·利果里 | 申请（专利权）人： | 雷索恩公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;H01L21/768;H01L21/306;H01L21/308;H01L21/48;H01L21/321;H01L21/288;B24B37/013;B24B37/04;B24B49/12 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 王小衡;胡彬 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了半导体材料层沉积和移除过程的原位校准的系统和方法。包括一个或多个校准过孔或柱的测试结构组相应地用于精确监视诸如电镀和抛光的过程。测试结构特征和产品特征之间的已知(例如，经验确定的)关系能够监视晶圆加工进展。在加工循环期间对一个或多个校准特征的光学检查允许动态操作条件调整，并当已经实现期望产品特征特性时精确停止加工。 | ||
| 搜索关键词： | 测试结构 原位校准 校准 监视 半导体材料层 动态操作条件 加工循环期间 半导体加工 产品特征 光学检查 晶圆加工 期望产品 特征特性 电镀 抛光 移除 沉积 加工 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆抛光过程的原位校准方法，包括以下步骤：/n在基板的测试区域上形成多个不同的已知高度的校准特征，已知高度中的至少一个高度是与所沉积的材料层的期望最终高度大致相同的高度；/n在所述基板的产品区域上形成产品特征；/n将材料层沉积到产品特征和多个校准特征上，使得所述材料层的高度大于所沉积的材料层的期望最终高度和多个校准特征的高度，而且多个校准特征是通过所沉积的材料层在视觉上可观察的；/n在大致相同的抛光条件下对所述材料层的测试区域和产品区域进行抛光；以及/n通过光学观察所述校准特征中的一个或多个校准特征从粗糙到平滑的变化来确定所述材料层已经被抛光到的抛光高度，特定校准特征外观从粗糙到平滑的每个变化指示材料层高度到所述特定校准特征的已知高度的降低。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
