[发明专利]用于在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法、用于生产具有外延层的半导体晶片的设备和具有外延层的半导体晶片在审
| 申请号： | 201680072872.6 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108474135A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | P·莫斯;R·绍尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;H01L21/673 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种方法，其包括将衬底晶片以所述衬底晶片的背面的边缘区域放置至基座的承载面上；通过以下方式用所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片装载所述沉积室：接触所述基座，并且将所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片从装载锁定室运输至所述沉积室中；在所述衬底晶片上沉积外延层；通过以下方式卸载所述沉积室：接触所述基座，并将所述基座和具有外延层的半导体晶片从所述沉积室运输至所述装载锁定室中，所述半导体晶片已在沉积所述外延层的过程中被生产并且位于所述基座上。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 半导体晶片 衬底晶片 沉积室 装载锁定室 沉积 边缘区域 卸载 生产 运输 装载 承载 | ||
【主权项】：
1.一种用于在沉积室中生产具有外延层的半导体晶片的方法，其包括：将衬底晶片以所述衬底晶片的背面的边缘区域放置至基座的放置区域上；通过以下方式用所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片装载所述沉积室：接触所述基座，并且将所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片从装载锁定室运输至所述沉积室中；在所述衬底晶片上沉积外延层；通过以下方式卸载所述沉积室：接触所述基座，并将所述基座和具有外延层的半导体晶片从所述沉积室运输至所述装载锁定室中，所述半导体晶片已在沉积所述外延层的过程中被生产并且位于所述基座上。
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