[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680071972.7 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN109478552B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 泽部亮介;木下繁;山田健太;石垣宽和 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式的半导体装置包含衬底、积层体、及柱状部。积层体设置在衬底上，且具有多个第1导电层及多个第1绝缘层。第1导电层与第1绝缘层沿着第1方向交替地设置。柱状部在积层体中沿着第1方向延伸，且包含阻挡层、电荷积蓄层、隧穿层、及半导体层。在与第1方向交叉的第2方向，阻挡层设置在多个第1导电层上及多个第1绝缘层上。电荷积蓄层设置在阻挡层上，隧穿层设置在电荷积蓄层上，半导体层设置在隧穿层上。柱状部包含第1部分、及相对于第1部分设置在衬底侧的第2部分。第2部分在第2方向的尺寸小于第1部分在第2方向的尺寸。阻挡层设置在第2部分的部分厚于阻挡层设置在第1部分的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：衬底；积层体，设置在所述衬底上，具有多个第1导电层与多个第1绝缘层，且所述第1导电层与所述第1绝缘层沿着第1方向交替地设置；及柱状部，在所述积层体中沿着所述第1方向延伸；且具有：阻挡层，在与所述第1方向交叉的第2方向，设置在多个所述第1导电层上及多个所述第1绝缘层上；电荷积蓄层，在所述第2方向设置在所述阻挡层上；隧穿层，在所述第2方向设置在所述电荷积蓄层上；及半导体层，在所述第2方向设置在所述隧穿层上；并且所述柱状部包含第1部分、及相对于所述第1部分设置在所述衬底侧的第2部分；所述第2部分在所述第2方向的尺寸小于所述第1部分在所述第2方向的尺寸；所述阻挡层设置在所述第2部分的部分厚于所述阻挡层设置在所述第1部分的部分。
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