[发明专利]湿蚀刻方法及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201680066422.6 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN108352315A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 新崎庸平;冈岛弘明;荻野和基 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的湿蚀刻方法将层叠物加工为目标的既定图案，其中，所述层叠物由在支承基板上层叠多个金属膜者构成，并包含自然氧化的Ti膜作为最上层，所述湿蚀刻方法包括：抗蚀剂形成工序，其在所述层叠物上形成与所述既定图案对应的形状的抗蚀剂膜；最上层选择性蚀刻工序，其使选择性地蚀刻所述最上层的最上层选择性药液与所述层叠物接触而主要对从所述抗蚀剂膜露出的所述最上层进行蚀刻；以及最终加工蚀刻工序，其使蚀刻包括所述最上层的所有层的最终加工药液与所述层叠物接触，进行蚀刻直至所述层叠物成为目标形状。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠物 最上层 蚀刻 湿蚀刻 既定图案 抗蚀剂膜 加工 半导体装置 选择性蚀刻 目标形状 形成工序 支承基板 自然氧化 金属膜 抗蚀剂 上层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种湿蚀刻方法，将层叠物加工为目标的既定图案，所述层叠物由在支承基板上层叠多个金属膜者构成，并包含自然氧化的Ti膜作为最上层，其特征在于，包括：抗蚀剂形成工序，其在所述层叠物上形成与所述既定图案对应的形状的抗蚀剂膜；最上层选择性蚀刻工序，其使选择性地蚀刻所述最上层的最上层选择性药液与所述层叠物接触而主要对从所述抗蚀剂膜露出的所述最上层进行蚀刻；以及最终加工蚀刻工序，其使蚀刻包括所述最上层的所有层的最终加工药液与所述层叠物接触，进行蚀刻直至所述层叠物成为目标形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
