[发明专利]湿蚀刻方法及半导体装置的制造方法

说明书

本发明的湿蚀刻方法将层叠物加工为目标的既定图案，其中，所述层叠物由在支承基板上层叠多个金属膜者构成，并包含自然氧化的Ti膜作为最上层，所述湿蚀刻方法包括：抗蚀剂形成工序，其在所述层叠物上形成与所述既定图案对应的形状的抗蚀剂膜；最上层选择性蚀刻工序，其使选择性地蚀刻所述最上层的最上层选择性药液与所述层叠物接触而主要对从所述抗蚀剂膜露出的所述最上层进行蚀刻；以及最终加工蚀刻工序，其使蚀刻包括所述最上层的所有层的最终加工药液与所述层叠物接触，进行蚀刻直至所述层叠物成为目标形状。

技术领域

本发明涉及一种湿蚀刻方法及半导体装置的制造方法。

背景技术

在构成液晶面板的TFT阵列基板上，栅极布线、源极布线等各种布线被配设成图案状。这种布线由层叠物被蚀刻成图案状者而构成，该层叠物由形成在玻璃基板上的多种金属膜构成。

例如，专利文献1中，示出了如下的复合湿蚀刻方法：对于包含形成在玻璃基板上的Al膜及Mo膜的层叠物，首先通过喷射式蚀刻将Al膜蚀刻，其后，通过桨式蚀刻(paddleetching)将Mo膜蚀刻。

现有技术文献

专利文件

专利文献1：日本特开2008-277845号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

在构成层叠物的最上层的金属膜由Ti膜构成的情况下，一般来说，该Ti膜的至少表面部分被环境空气中含有的氧等自然氧化，变化成氧化钛。已知氧化钛相对于一般性的湿蚀刻的药液的蚀刻速率(蚀刻速度)会变得极端地低(慢)。将在最上层具有那样的氧化钛的层叠物进行了湿蚀刻的情况下，与氧化钛相比，位于氧化钛的下侧的其他金属膜优先被蚀刻，有时层叠物的截面形状会变成所谓的倒锥形状(倒梯形状)。另外，Ti膜被氧化而成为氧化钛的范围不一定是均等的，因此侧面蚀刻量不一致，层叠物的线宽有时会变得不均等。

本发明的目的在于，提供抑制侧面蚀刻量的不一致、截面形状被蚀刻成倒锥形状的情况等，并且能良好地对在最上层具有Ti膜的金属膜的层叠物进行蚀刻的湿蚀刻方法、以及使用该湿蚀刻方法的半导体装置的制造方法。

解决问题的手段

本发明所涉及的湿蚀刻方法将层叠物加工为目标的既定图案，其中，所述层叠物由在支承基板上层叠多个金属膜者构成，并包含自然氧化的Ti膜作为最上层，所述湿蚀刻方法包括：抗蚀剂形成工序，其在所述层叠物上形成与所述既定图案对应的形状的抗蚀剂膜；最上层选择性蚀刻工序，其使选择性地蚀刻所述最上层的最上层选择性药液与所述层叠物接触而主要对从所述抗蚀剂膜露出的所述最上层进行蚀刻；以及最终加工蚀刻工序，其使蚀刻包括所述最上层的所有层的最终加工药液与所述层叠物接触，进行蚀刻直至所述层叠物成为目标形状。

所述湿蚀刻方法优选为，在所述最上层选择性蚀刻工序中，所述最上层选择性药液的相对于所述最上层的蚀刻速率(蚀刻速度)比相对于位于所述最上层的下侧的层的蚀刻速率(蚀刻速度)更高(快)。

所述湿蚀刻方法优选为，在所述最终加工蚀刻工序中，所述最终加工药液的相对于所述最上层以外的层的蚀刻速率(蚀刻速度)比相对于所述最上层的蚀刻速率(蚀刻速度)更高(快)。

在所述湿蚀刻方法中，也可以除了所述最上层以外，所述层叠物具有形成在所述支承基板上的最下层、以及配置于所述最上层与所述最下层之间的中间层，所述湿蚀刻方法包括中间层选择性蚀刻工序，其在所述最上层选择性蚀刻工序之后，使选择性地蚀刻所述中间层的中间层选择性药液与所述层叠物接触而主要对从所述抗蚀剂膜露出的所述中间层进行蚀刻。

所述湿蚀刻方法优选为，在所述中间层选择性蚀刻工序中，所述中间层选择性药液的相对于所述中间层的蚀刻速率(蚀刻速度)比相对于所述最上层的蚀刻速率(蚀刻速度)及相对于所述最下层的蚀刻速率(蚀刻速度)更高(快)。