[发明专利]半导体激光器和半导体激光器装置有效

专利信息
申请号: 201680058370.8 申请日: 2016-09-29
公开(公告)号: CN108141008B 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 弗兰克·辛格;诺温·文马尔姆;蒂尔曼·鲁戈海默;托马斯·基佩斯 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022;H01S5/02;H01S5/024;H01S5/042;H01S5/22
代理公司: 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 丁永凡;张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 在一个实施方式中,半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)。在谐振器段(3)中产生激光辐射。谐振器段(3)平行于有源区(22)定向。此外,半导体激光器(1)包含电的p型接触部(41)和电的n型接触部(43),所述p型接触部和n型接触部分别处于半导体层序列(2)的所属的区域(21,23)上,并且所述p型接触部和n型接触部设计用于将电流直接馈入所属的区域(21,23)中。p型接触面(61)与p型接触部(41)电连接,并且n型接触面(63)与n型接触部(43)电连接,使得p型接触面(61)和n型接触面(63)设计用于外部电和机械连接半导体激光器(1)。接触面(61,63)平行于半导体层序列(2)的生长方向(G)取向。在此,半导体激光器(1)可无金属线地表面安装。
搜索关键词: 半导体激光器 半导体层序列 传导区域 谐振器段 电连接 源区 平行 半导体激光器装置 机械连接 激光辐射 生长方向 地表面 金属线 馈入 取向 外部
【主权项】:
1.一种半导体激光器(1),所述半导体激光器具有:/n-半导体层序列(2),所述半导体层序列包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22),/n-至少一个谐振器段(3),在所述谐振器段(3)中在所述半导体激光器(1)运行时产生激光辐射(L),并且所述谐振器段平行于所述有源区(22)定向,/n-电的p型接触部(41),所述p型接触部处于所述p型传导区域(21)上,并且所述p型接触部设计用于将电流直接馈入到所述p型传导区域(21)中,/n-电的n型接触部(43),所述n型接触部处于所述n型传导区域(23)上,并且所述n型接触部设计用于将电流直接馈入到所述n型传导区域(23)中,并且/n-与所述p型接触部(41)电连接的p型接触面(61),和与所述n型接触部(43)电连接的n型接触面(63),使得所述p型接触面(61)和所述n型接触面(63)位于共同的安装平面(65)中并且在所述安装平面(65)中设计用于外部电连接和机械连接所述半导体激光器(1),并且所述p型接触面(61)和所述n型接触面(63)的位于所述安装平面(65)中的区域以最高15°的公差平行于所述半导体层序列(2)的生长方向(G)取向,使得所述半导体层序列(2)竖立在所述安装平面(65)上,其中所述半导体激光器(1)能够无金属线地表面安装。/n
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