[发明专利]半导体激光器和半导体激光器装置

说明书

在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)。在谐振器段(3)中产生激光辐射。谐振器段(3)平行于有源区(22)定向。此外，半导体激光器(1)包含电的p型接触部(41)和电的n型接触部(43)，所述p型接触部和n型接触部分别处于半导体层序列(2)的所属的区域(21，23)上，并且所述p型接触部和n型接触部设计用于将电流直接馈入所属的区域(21，23)中。p型接触面(61)与p型接触部(41)电连接，并且n型接触面(63)与n型接触部(43)电连接，使得p型接触面(61)和n型接触面(63)设计用于外部电和机械连接半导体激光器(1)。接触面(61，63)平行于半导体层序列(2)的生长方向(G)取向。在此，半导体激光器(1)可无金属线地表面安装。

技术领域

提出一种半导体激光器。此外，提出一种半导体激光器装置。

发明内容

要实现的目的在于：提出一种紧凑的半导体激光器，能够从所述半导体激光器中良好地导出废热。

此外，所述目的通过具有本发明的特征的半导体激光器来实现。优选的改进形式是下面描述的主题。

根据至少一个实施方式，半导体激光器包括半导体层序列。半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mN或是磷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mP或者也为砷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mAs，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单性仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。

根据至少一个实施方式，半导体层序列包含n型传导区域和p型传导区域。在这两个区域之间存在有源区。p型传导区域、有源区和n型传导区域沿着半导体层序列的生长方向优选直接彼此堆叠地安置。

根据至少一个实施方式，半导体激光器具有一个或多个谐振器段。在至少一个谐振器段中，在半导体激光器正常运行时产生激光辐射。所述在谐振器段中产生的激光辐射至少部分地从半导体激光器中向外发射。激光辐射例如表示：由半导体激光器发射的辐射是相干辐射。发射的辐射的相干波长例如为至少1mm或10mm或1m。

根据至少一个实施方式，半导体激光器包括电的p型接触部，所述p型接触部优选直接处于p型传导区域上，并且所述p型接触部设计用于将电流直接馈入到p型传导区域中。换言之，通过p型接触部对p型传导区域通电。特别地，仅经由电的p型接触部将电流馈入p型传导区域中。

根据至少一个实施方式，半导体激光器包含电的n型接触部。n型接触部优选局部地直接处于n型传导区域上。以与p型接触部相同的方式，n型接触部设计用于将电流直接馈入到n型传导区域中。在半导体激光器运行时，优选仅经由n型接触部将电流馈入n型传导区域中。

根据至少一个实施方式，半导体激光器包括p型接触面和n型接触面。优选刚好两个接触面设计用于外部电接触半导体激光器。特别地，半导体激光器设计用于：经由接触面外部电接触并且机械地固定。优选地，接触面可焊接地构成。替选地，接触面能够经由导电胶固定。

根据至少一个实施方式，接触面分别与所属的接触部电连接。在此，接触面能够直接地施加到各所属的接触部上，例如经由电镀沉积。