[发明专利]半导体激光器和半导体激光器装置

权利要求书

1.一种半导体激光器(1)，所述半导体激光器具有：

-半导体层序列(2)，所述半导体层序列包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)，

-至少一个谐振器段(3)，在所述谐振器段(3)中在所述半导体激光器(1)运行时产生激光辐射(L)，并且所述谐振器段平行于所述有源区(22)定向，

-电的p型接触部(41)，所述p型接触部处于所述p型传导区域(21)上，并且所述p型接触部设计用于将电流直接馈入到所述p型传导区域(21)中，

-电的n型接触部(43)，所述n型接触部处于所述n型传导区域(23)上，并且所述n型接触部设计用于将电流直接馈入到所述n型传导区域(23)中，并且

-与所述p型接触部(41)电连接的p型接触面(61)，和与所述n型接触部(43)电连接的n型接触面(63)，使得所述p型接触面(61)和所述n型接触面(63)位于共同的安装平面(65)中并且在所述安装平面(65)中设计用于外部电连接和机械连接所述半导体激光器(1)，并且所述p型接触面(61)和所述n型接触面(63)的位于所述安装平面(65)中的区域以最高15°的公差平行于所述半导体层序列(2)的生长方向(G)取向，使得所述半导体层序列(2)竖立在所述安装平面(65)上，其中所述半导体激光器(1)能够无金属线地表面安装。

2.根据上一项权利要求所述的半导体激光器(1)，

其中所述谐振器段(3)和所述生长方向(G)各以最高2°的公差平行于所述接触面(61，63)的位于所述安装平面(65)中的区域取向，

其中所述谐振器段(3)和所述安装平面(65)之间的间距位于40μm和0.6mm之间，其中包括边界值。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中所述n型接触部(43)从所述p型传导区域(21)起穿过所述有源区(22)延伸到所述n型传导区域(23)中，并且在俯视图中观察，处于所述谐振器段(3)旁边。

4.根据上一项权利要求所述的半导体激光器(1)，

其中在平行于所述有源区(22)的至少一个横截面中观察，所述n型接触部(43)或所述p型接触部(41)在四周由所述半导体层序列(2)的材料包围，其中所述n型接触部(43)和所述p型接触部(41)各由一种或多种金属构成，并且其中所述n型接触部(43)在所述n型传导区域(23)之内终止。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中全部接触面(61，63)处于所述半导体层序列(2)的同一侧上，其中所述接触面(61，63)分别直接地安置在所属的接触部(41，43)上。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中所述p型接触面(61)位于所述半导体层序列(2)的与所述n型接触面(63)不同的侧上，使得所述谐振器段(3)至少部分地设置在所述接触面(61，63)之间。

7.根据上一项权利要求所述的半导体激光器(1)，

其中所述p型接触部(41)完全地引导穿过所述半导体层序列(2)。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体激光器(1)，

所述半导体激光器还包括脊形波导(33)，通过所述脊形波导限定所述谐振器段(3)，其中由所述p型接触部(41)仅在所述脊形波导(33)处将电流馈入到所述半导体层序列(2)中，并且其中所述脊形波导(33)在两侧由所述半导体层序列(2)中的沟槽(32)限界，并且所述沟槽(32)至少部分地借助所述p型接触部(41)填充。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体激光器(1)，

其中所述接触面(61，63)在所述安装平面(65)中沿着平行于所述谐振器段(3)的直线设置，并且在俯视图中观察在所述谐振器段(3)旁边设置。