[发明专利]半导体器件及形成其的方法在审
| 申请号： | 201680054722.2 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN108028245A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 林叶;陈全胜 | 申请（专利权）人： | 南洋理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 新加坡国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件100包括具有贯穿衬底通孔106的衬底102，贯穿衬底通孔106在其中形成有：第一电容器电极层108a和第二电容器电极层108b，和设置于第一电容器电极层108a和第二电容器电极层108b之间的介电材料层112；以及贯穿衬底通孔导体116。一种形成半导体器件100的方法，半导体器件100包括贯穿衬底通孔106，所述方法包括在贯穿衬底通孔106中形成：第一电容器电极层108a和第二电容器电极层108b，和设置于第一电容器电极层108a和第二电容器电极层108b之间的介电材料层112；以及贯穿衬底通孔导体116。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括具有贯穿衬底通孔的衬底，所述贯穿衬底通孔在其中形成有：第一电容器电极层和第二电容器电极层，和设置于第一电容器电极层和第二电容器电极层之间的介电材料层；以及贯穿衬底通孔导体。
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