[发明专利]半导体器件及形成其的方法在审
| 申请号： | 201680054722.2 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN108028245A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 林叶;陈全胜 | 申请（专利权）人： | 南洋理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 新加坡国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括具有贯穿衬底通孔的衬底，所述贯穿衬底通孔在其中形成有：
第一电容器电极层和第二电容器电极层，和设置于第一电容器电极层和第二电容器电极层之间的介电材料层；以及
贯穿衬底通孔导体。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述贯穿衬底通孔已经由形成在衬底第一侧的沟槽形成，贯穿衬底通孔导体包括通孔导电芯；第一电容器电极层、介电材料层和第二电容器电极层已经形成在沟槽中，并且其中，第二电容器电极层围绕通孔导电芯。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，第一电容器电极层、介电材料层和第二电容器电极层基本上设置为围绕通孔导电芯的同心层。
4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，包括设置在沟槽内表面上的第一绝缘层，设置在所述绝缘层上的第一电容器电极层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，包括设置在所述第二电容器电极层上的第二绝缘层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括设置在所述第二绝缘层上的阻挡层。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，所述阻挡层已经形成为使沟槽处于未填满状态，所述通孔导电芯已经通过用导电材料填充沟槽来形成，以及所述贯穿衬底通孔已经通过平面化衬底的第二侧以暴露在此处的通孔导电芯的导电材料来形成。
8.一种形成半导体器件的方法，所述半导体器件包括贯穿衬底通孔，所述方法包括在所述贯穿衬底通孔中形成：
第一电容器电极层和第二电容器电极层，和设置于第一电容器电极层和第二电容器电极层之间的介电材料层；以及
贯穿衬底通孔导体。
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