[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201680053023.6 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN108028059B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 藤田胜之;H·S·任 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社;SK海力士公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;刘薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体存储器件包括第一存储体和第二存储体。所述第一存储体和所述第二存储体中的每一者包括具有可变电阻元件的存储单元、参考单元、具有与所述存储单元电耦接的第一输入端和与所述参考单元电耦接的第二输入端的读出放大器、以及电耦接所述存储单元和所述读出放大器的所述第一输入端的第一晶体管。所述第一存储体的所述第一晶体管的栅极和所述第二存储体的所述第一晶体管的栅极被独立地供给电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其包括第一存储体和第二存储体，其中，所述第一存储体和所述第二存储体中的每一者包括：存储单元，其包括可变电阻器；参考单元；读出放大器，其包括与所述存储单元电耦接的第一输入端和与所述参考单元电耦接的第二输入端；以及第一晶体管，其电耦接所述存储单元和所述读出放大器的所述第一输入端，并且所述第一存储体的所述第一晶体管的栅极和所述第二存储体的所述第一晶体管的栅极被独立地供给电压。
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