[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其包括

第一存储体和第二存储体，

其中，

所述第一存储体和所述第二存储体中的每一者包括：

存储单元，其包括可变电阻器；

参考单元；

读出放大器，其包括与所述存储单元电耦接的第一输入端和与所述参考单元电耦接的第二输入端；以及

第一晶体管，其电耦接所述存储单元和所述读出放大器的所述第一输入端，

所述第一存储体的所述第一晶体管的栅极和所述第二存储体的所述第一晶体管的栅极被独立地供给电压，

当所述第一存储体在读操作中正被激活期间，所述第二存储体被激活，

所述第一存储体通过基于输入第一存储体地址将第一信号从第一电平改变为第二电平而被激活，并且

所述第二存储体通过基于输入第二存储体地址将第二信号从所述第一电平改变为所述第二电平而被激活。

2.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

第一电压生成电路，其生成第一电压；

第一分配器，其基于所述第一电压生成第二电压，并将所述第二电压提供给所述第一存储体的所述第一晶体管的栅极；以及

第二分配器，其基于所述第一电压生成第三电压，并将所述第三电压提供给所述第二存储体的所述第一晶体管的栅极。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，

所述第一分配器包括：

第一运算放大器，其包括所述第一电压被输入到的第一输入端和所述第二电压被输入到的第二输入端；

第二晶体管，其包括与所述第一运算放大器的输出端电耦接的栅极，与电源电压电耦接的一端，以及输出所述第二电压的另一端；以及

第一电阻器，其包括与所述第二晶体管的所述另一端电耦接的一端，和与接地电压耦接的另一端，并且

所述第二分配器包括：

第二运算放大器，其包括所述第一电压被输入到的第一输入端和所述第三电压被输入到的第二输入端；

第三晶体管，其包括与所述第二运算放大器的输出端电耦接的栅极，与所述电源电压电耦接的一端，以及输出所述第三电压的另一端；以及

第二电阻器，其包括与所述第三晶体管的所述另一端电耦接的一端，和与所述接地电压耦接的另一端。

4.根据权利要求2所述的器件，其中：

所述第一分配器根据行地址来改变所述第二电压；以及

所述第二分配器根据行地址来改变所述第三电压。

5.根据权利要求2所述的器件，其中，

所述第一分配器包括：

第三运算放大器，其包括所述第一电压被输入到的第一输入端；

第四晶体管，其包括与所述第三运算放大器的输出端电耦接的栅极，与电源电压电耦接的一端，以及输出所述第二电压的另一端；

第三电阻器，其包括与所述第四晶体管的所述另一端电耦接的一端，和与所述第三运算放大器的第二输入端电耦接的另一端；

第五晶体管，其包括与所述第四晶体管的所述另一端电耦接的一端，和与所述第三运算放大器的所述第二输入端电耦接的另一端；

第四电阻器，其包括与所述第五晶体管的所述另一端和所述第三电阻器的所述另一端电耦接的一端，和与接地电压电耦接的另一端；以及

第一地址控制器，其根据行地址向所述第五晶体管的栅极提供信号；并且

所述第二分配器包括：

第四运算放大器，其包括所述第一电压被输入到的第一输入端；

第六晶体管，其包括与所述第四运算放大器的输出端电耦接的栅极，与所述电源电压电耦接的一端，以及输出所述第三电压的另一端；

第五电阻器，其包括与所述第六晶体管的所述另一端电耦接的一端，和与所述第四运算放大器的第二输入端电耦接的另一端；

第七晶体管，其包括与所述第六晶体管的所述另一端电耦接的一端，和与所述第四运算放大器的所述第二输入端电耦接的另一端；

第六电阻器，其包括与所述第七晶体管的所述另一端和所述第五电阻器的所述另一端电耦接的一端，和与所述接地电压电耦接的另一端；以及

第二地址控制器，其根据行地址向所述第七晶体管的栅极提供信号。