[发明专利]薄膜电容器和半导体器件在审
| 申请号： | 201680021116.0 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108701654A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 吉泽正充;服部笃典;波多野弘孝;楠本和贵 | 申请（专利权）人： | 野田士克林股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在包括半导体芯片(50)的半导体器件(100)的重新分布层(10)中的薄膜电容器(20)。该薄膜电容器(20)包括电容器本体(21)，该电容器本体(21)包括第一电极(21A)、在所述第一电极上的电介质(21B)和在所述电介质上的第二电极(21C)；以及粘合部(22)，该粘合部被设置在所述第一电极(21A)的下表面上，并且用于将所述薄膜电容器(20)附接到所述半导体芯片(50)的保护膜(52)上。所述电容器本体(21)的厚度和所述粘合部(22)的厚度的总和为20μm或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜电容器 电容器本体 第一电极 粘合部 电介质 半导体器件 半导体芯片 重新分布层 第二电极 保护膜 下表面 | ||
【主权项】：
1.一种在包括半导体芯片的半导体器件的重新分布层中的薄膜电容器，所述薄膜电容器包括：电容器本体，所述电容器本体包括第一电极、在所述第一电极上的电介质、以及在所述电介质上的第二电极；以及粘合部，所述粘合部被设置在所述第一电极的下表面上，并且用于将所述薄膜电容器附接到所述半导体芯片的保护膜，其中，所述电容器本体的厚度和所述粘合部的厚度的总和为20μm或更小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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