[发明专利]薄膜电容器和半导体器件

说明书

一种在包括半导体芯片(50)的半导体器件(100)的重新分布层(10)中的薄膜电容器(20)。该薄膜电容器(20)包括电容器本体(21)，该电容器本体(21)包括第一电极(21A)、在所述第一电极上的电介质(21B)和在所述电介质上的第二电极(21C)；以及粘合部(22)，该粘合部被设置在所述第一电极(21A)的下表面上，并且用于将所述薄膜电容器(20)附接到所述半导体芯片(50)的保护膜(52)上。所述电容器本体(21)的厚度和所述粘合部(22)的厚度的总和为20μm或更小。

技术领域

本发明涉及薄膜电容器和包括薄膜电容器的半导体器件，更具体地说，涉及在包括半导体芯片的半导体器件的重新分布层中的薄膜电容器。

背景技术

例如，专利文献1中公开的技术被认为是与这种薄膜电容器有关的现有技术。专利文献1公开了一种薄膜电容器，包括由铝膜(阀金属)形成的正电极、由阳极氧化膜形成的电介质膜和由导电高分子材料形成的负电极。薄膜电容器被附接在重新分布层上，并用银膏膜(导电粘合剂)接合。该构造使得大电容电容器被设置在非常靠近半导体集成电路(半导体芯片)。

相关文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-227266号公报

发明内容

要解决的问题

然而，上述文献中公开的薄膜电容器的厚度为0.1mm至0.15mm(100μm至150μm)。因此，包含在重新分布层中的绝缘膜的厚度大于形成重新分布布线所需的厚度，并且重新分布层不幸地具有大于必要的厚度。此外，当通过旋涂法形成诸如聚酰亚胺膜的绝缘膜时，由于薄膜电容器的厚度大，绝缘膜可能具有不均匀性。

本说明书中的技术提供了一种在半导体器件的重新分布层中的薄膜电容器并且还提供所述半导体器件，所述薄膜电容器较少可能增加包含在重新分布层中的绝缘膜的厚度，并且较少可能使绝缘膜不均匀。

解决所述问题的手段

本文公开的薄膜电容器是一种在半导体器件的重新分布层中的薄膜电容器，半导体器件包括半导体芯片。薄膜电容器包括电容器本体，电容器本体包括第一电极、在第一电极上的电介质和在电介质上的第二电极；以及粘合部，粘合部被设置在第一电极的下表面上，并且用于将薄膜电容器附接到半导体芯片的保护膜上。电容器本体的厚度和粘合部的厚度的总和为20μm或更小。

在该构造中，包括粘合部的厚度的薄膜电容器的厚度为20μm或更小。因此，薄膜电容器的总厚度通常小于重新分布层的厚度，更具体地说，小于通过在构成重新分布层的绝缘膜上使用铜镀形成布线所需的绝缘膜的厚度。此外，薄膜电容器的小的总厚度降低了当通过旋涂法形成诸如聚酰亚胺膜的绝缘膜时，绝缘膜具有不均匀性的可能性。因此，绝缘膜是平坦的。换句话说，在具有该构造的薄膜电容器中，设置在重新分布层中的薄膜电容器较少可能增加重新分布层的绝缘膜的厚度，并且较少可能使绝缘膜不均匀。

在上述薄膜电容器中，粘合部可以具有朝下侧扩展的锥形形状的周边壁。

该构造有效地降低了当通过旋涂法形成诸如聚酰亚胺膜的绝缘膜时，绝缘膜具有不均匀性的可能性。在许多情况下，粘合部的厚度大于电容器本体的厚度。在这些情况下，粘合片的锥形周边壁使得当通过旋涂法形成绝缘膜时，在薄膜电容器上平滑地形成绝缘膜。

在上述薄膜电容器中，粘合部的厚度可以等于或大于电容器本体的厚度。

在该构造中，薄膜电容器中的粘合部的厚度的增加比例使得绝缘膜更平滑地形成在薄膜电容器上。