[发明专利]薄膜电容器和半导体器件

权利要求书

1.一种在包括半导体芯片的半导体器件的重新分布层中的薄膜电容器，所述薄膜电容器包括：

电容器本体，所述电容器本体包括第一电极、在所述第一电极上的电介质、以及在所述电介质上的第二电极；以及

粘合部，所述粘合部被设置在所述第一电极的下表面上，并且用于将所述薄膜电容器附接到所述半导体芯片的保护膜，

其中，

所述电容器本体的厚度和所述粘合部的厚度的总和为20μm或更小。

2.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，

所述粘合部的周边壁具有朝下侧扩展的锥形形状。

3.根据权利要求2所述的薄膜电容器，其中，

所述粘合部的厚度等于或大于所述电容器本体的厚度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜电容器，其中，

所述粘合部、所述第一电极、所述电介质和所述第二电极具有从在底部的所述粘合部到在顶部的所述第二电极以步进方式减小尺寸的矩形平面形状，以及

所述粘合部、所述第一电极、所述电介质和所述第二电极在它们的边缘部处形成阶梯状台阶，其中，在底部的所述粘合部形成最低的台阶，而在顶部的所述第二电极形成最高的台阶。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜电容器，进一步包括：

应力缓和结构，所述应力缓和结构被配置为对当通过使用所述粘合部将所述薄膜电容器附接到所述半导体芯片的所述保护膜时在位于所述第二电极的边缘部的所述电介质的一部分中产生的应力进行缓和。

6.根据权利要求5所述的薄膜电容器，其中，所述应力缓和结构包括：

上导体部，在平面图中所述上导体部以在两者之间隔着预定间隙的方式来环绕所述第二电极，并且所述上导体部被电连接到所述第一电极；以及

连接部，在平面图中所述连接部环绕所述电介质，并且所述连接部将所述第一电极和所述上导体部彼此电连接，以及

从所述粘合部的下表面到所述第二电极的上表面的高度等于从所述粘合部的下表面到所述上导体部的上表面的高度。

7.根据权利要求6所述的薄膜电容器，其中，

在平面图中，所述电介质在所述第二电极的区域外的位置处具有环绕所述第二电极的贯通槽，以及

所述连接部由填充所述贯通槽的导体组成。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜电容器，其中，

所述粘合部是被附接到所述第一电极的下表面的粘合片。

9.一种半导体器件，包括：

具有接合面的半导体芯片，所述接合面具有包括电源电极焊盘的电极焊盘；

在所述接合面上的保护膜；

在所述保护膜上的重新分布层，所述重新分布层包括外部连接部、将所述电极焊盘和所述外部连接部彼此连接的重新分布部、以及在其中具有所述重新分布部的绝缘层；

在所述重新分布层中的薄膜电容器，所述薄膜电容器包括电容器本体，所述电容器本体包括第一电极、在所述第一电极上的电介质、以及在所述电介质上的第二电极；以及

粘合部，所述粘合部在所述第一电极的、与在其上具有所述电介质的表面相反的表面上，或者在所述半导体芯片的所述保护膜上，

其中，

所述薄膜电容器通过使用所述粘合部被附接到所述保护膜，

所述电容器本体的厚度和所述粘合部的厚度的总和小于所述绝缘层的厚度，以及

所述薄膜电容器的所述第一电极和所述第二电极通过所述重新分布部来被连接到所述电源电极焊盘和所述外部连接部。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述电容器本体的厚度和所述粘合部的厚度的总和为20μm或更小。

11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其中，

所述粘合部的周边壁具有朝下侧扩展的锥形形状。