[发明专利]辐射敏感组合物、非晶膜和抗蚀图案形成方法在审

专利信息
申请号: 201680020207.2 申请日: 2016-03-17
公开(公告)号: CN107407874A 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 越后雅敏;樋田匠;佐藤隆 申请(专利权)人: 三菱瓦斯化学株式会社
主分类号: G03F7/022 分类号: G03F7/022;C08F214/18;G03F7/004
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇,李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种辐射敏感组合物,其含有抗蚀基材(A)、重氮萘醌光活性化合物(B)以及溶剂(C),该组合物中的前述溶剂(C)的含量为20~99质量%,前述溶剂(C)之外的成分的含量为1~80质量%,前述抗蚀基材(A)为下述式(1)所示的化合物。(式(1)中,R1为碳数1~30的2n价基团,R2~R5各自独立地表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、碳数2~10的烯基、碳数1~30的烷氧基、卤素原子、巯基、或羟基,其中,至少一个R4和/或至少一个R5为选自羟基和巯基中的1种以上,m2和m3各自独立地为0~8的整数,m4和m5各自独立地为0~9的整数,其中,m4和m5不同时为0,n为1~4的整数,p2~p5各自独立地为0~2的整数。)
搜索关键词: 辐射 敏感 组合 非晶膜 图案 形成 方法
【主权项】:
一种辐射敏感组合物,其含有抗蚀基材(A)、重氮萘醌光活性化合物(B)以及溶剂(C),该组合物中的所述溶剂(C)的含量为20~99质量%,所述溶剂(C)以外的成分的含量为1~80质量%,所述抗蚀基材(A)为下述式(1)所示的化合物,式(1)中、R1为碳数1~30的2n价基团,R2~R5各自独立地表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、碳数2~10的烯基、碳数1~30的烷氧基、卤素原子、巯基、或羟基,其中,至少一个R4和/或至少一个R5为选自羟基和巯基中的1种以上,m2和m3各自独立地为0~8的整数,m4和m5各自独立地为0~9的整数,其中,m4和m5不同时为0,n为1~4的整数,p2~p5各自独立地为0~2的整数。
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