[发明专利]低K值和中K值LTCC介电组合物及装置有效
| 申请号： | 201680009889.7 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107250081B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 小沃尔特·J·赛姆斯 | 申请（专利权）人： | 费罗公司 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;B32B18/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 王蕊;李轶 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 由包含前体材料混合物的介电组合物制备的LTCC装置，所述组合物经烧制形成包含钡‑钨‑硅基体的介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | ltcc 组合 装置 | ||
【主权项】：
一种包含前体材料混合物的组合物，其经烧制形成包含钡‑钨‑硅氧化物基体材料的不含铅且不含镉的介电材料。
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