[发明专利]有机半导体元件及其制造方法、有机半导体膜形成用组合物以及有机半导体膜的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供高迁移率的有机半导体元件、能够形成高迁移率的有机半导体膜的有机半导体膜形成用组合物、以及由上述有机半导体膜形成用组合物形成的有机半导体元件的制造方法和有机半导体膜的制造方法。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有半导体活性层，该半导体活性层包含由式1表示且分子量为3,000以下的化合物。本发明的有机半导体膜形成用组合物的特征在于，其含有由式1表示且分子量为3,000以下的化合物、以及溶剂。

主权项

1.一种有机半导体元件，其特征在于，该有机半导体元件具有半导体活性层，该半导体活性层包含由下式1表示且分子量为3,000以下的化合物，/n【化1】/n /n式1中，/nX表示氧原子、硫原子、硒原子或碲原子；/nY为氧原子、硫原子、硒原子或NR⁶，Z为氮原子；或者Z为氧原子、硫原子、硒原子或NR⁶，Y为CR⁵或氮原子；/n2个Y彼此可以相同、也可以不同，2个Z彼此可以相同、也可以不同；/n包含Y和Z的环均为芳香族杂环；/nR¹和R²与包含Y和Z的芳香族杂环可以藉由下述二价连接基团组A进行键合；/nR³和R⁴与苯环可以藉由下述二价连接基团组A进行键合；/n二价连接基团组A表示-O-、-S-、-NR⁷-、-CO-、-SO-或-SO₂-中的任一种二价连接基团，或者表示这些二价连接基团2个以上键合而成的二价连接基团；/nm和n各自独立地为0～2的整数；/nR¹和R²各自独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，/nR¹和R²的碳原子数各自独立地为1～30；/nR³和R⁴各自独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R³为2个的情况下，2个R³彼此可以相同、也可以不同，R⁴为2个的情况下，2个R⁴彼此可以相同、也可以不同，/nR⁵、R⁶和R⁷各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。/n