[发明专利]有机半导体元件及其制造方法、有机半导体膜形成用组合物以及有机半导体膜的制造方法

权利要求书

1.一种有机半导体元件，其特征在于，该有机半导体元件具有半导体活性层，该半导体活性层包含由下式1表示且分子量为3,000以下的化合物，

【化1】

式1中，

X表示氧原子、硫原子、硒原子或碲原子；

Y为氧原子、硫原子、硒原子或NR⁶，Z为氮原子；或者Z为氧原子、硫原子、硒原子或NR⁶，Y为CR⁵或氮原子；

2个Y彼此可以相同、也可以不同，2个Z彼此可以相同、也可以不同；

包含Y和Z的环均为芳香族杂环；

R¹和R²与包含Y和Z的芳香族杂环可以藉由下述二价连接基团组A进行键合；

R³和R⁴与苯环可以藉由下述二价连接基团组A进行键合；

二价连接基团组A表示-O-、-S-、-NR⁷-、-CO-、-SO-或-SO₂-中的任一种二价连接基团，或者表示这些二价连接基团2个以上键合而成的二价连接基团；

m和n各自独立地为0～2的整数；

R¹和R²各自独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，

R¹和R²的碳原子数各自独立地为1～30；

R³和R⁴各自独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R³为2个的情况下，2个R³彼此可以相同、也可以不同，R⁴为2个的情况下，2个R⁴彼此可以相同、也可以不同，

R⁵、R⁶和R⁷各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。

2.如权利要求1所述的有机半导体元件，其中，上述包含Y和Z的芳香族杂环各自独立地为噻吩环、呋喃环、吡咯环、硒吩环、噻唑环或噁唑环。

3.如权利要求1或2所述的有机半导体元件，其中，m和n均为0。

4.如权利要求1或2所述的有机半导体元件，其中，R¹和R²各自独立地是碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为6～20的芳基或碳原子数为3～20的杂芳基。

5.如权利要求1或2所述的有机半导体元件，其中，R¹与R²相同、R³与R⁴相同、且m与n相同。