[发明专利]有机半导体元件及其制造方法、有机半导体膜形成用组合物以及有机半导体膜的制造方法

说明书

本发明的目的在于提供高迁移率的有机半导体元件、能够形成高迁移率的有机半导体膜的有机半导体膜形成用组合物、以及由上述有机半导体膜形成用组合物形成的有机半导体元件的制造方法和有机半导体膜的制造方法。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有半导体活性层，该半导体活性层包含由式1表示且分子量为3,000以下的化合物。本发明的有机半导体膜形成用组合物的特征在于，其含有由式1表示且分子量为3,000以下的化合物、以及溶剂。

技术领域

本发明涉及有机半导体元件及其制造方法、有机半导体膜形成用组合物以及有机半导体膜的制造方法。

背景技术

出于能够实现轻量化、低成本化、柔软化的原因，在用于液晶显示屏、有机EL显示屏的FET(场效应晶体管)、RFID(RF标签)等中利用具有有机半导体膜(半导体活性层、半导体活性层)的有机晶体管。

作为现有的有机半导体，已知有专利文献1和2中记载的有机半导体。

【现有技术文献】

【专利文献】

专利文献1：日本特开2013-235903号公报

专利文献2：国际公开第2014/057685号公报

发明内容

【发明所要解决的课题】

本发明所要解决的课题在于提供一种高迁移率(高移動度)的有机半导体元件。

另外，本发明所要解决的其它课题在于提供能够形成高迁移率的有机半导体膜的有机半导体膜形成用组合物、以及由上述有机半导体膜形成用组合物形成的有机半导体元件的制造方法和有机半导体膜的制造方法。

【解决课题的手段】

本发明的上述课题通过下述的<1>或<11>～<13>中记载的手段得到解决。下面同时记载了作为优选实施方式的<2>～<10>。

<1>一种有机半导体元件，其特征在于，其具有半导体活性层，该半导体活性层包含由下式1表示且分子量为3,000以下的化合物，

【化1】

式1中，X表示氧原子、硫原子、硒原子或碲原子；Y和Z各自独立地表示CR⁵、氧原子、硫原子、硒原子、氮原子或NR⁶，2个Y彼此可以相同、也可以不同，2个Z彼此可以相同、也可以不同；包含Y和Z的环均为芳香族杂环；R¹和R²与包含Y和Z的芳香族杂环可以藉由下述二价连接基团组A进行键合；R³和R⁴与苯环可以藉由下述二价连接基团组A进行键合；二价连接基团组A表示-O-、-S-、-NR⁷-、-CO-、-SO-或者-SO₂-中的任一种二价连接基团，或者表示这些二价连接基团2个以上键合而成的二价连接基团；m和n各自独立地为0～2的整数；R¹、R²、R⁵、R⁶和R⁷各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基；R³和R⁴各自独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R³为2个的情况下，2个R³彼此可以相同、也可以不同，R⁴为2个的情况下，2个R⁴彼此可以相同、也可以不同。

<2>如<1>中所述的有机半导体元件，其中，上述包含Y和Z的芳香族杂环各自独立地为噻吩环、呋喃环、吡咯环、硒吩环、噻唑环或噁唑环；