[发明专利]碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201680008802.4 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN107208310B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 中林正史;小岛清;出合博之;下村光太;永畑幸雄 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用升华再结晶法的SiC单晶的制造方法，其更加正确地检测出坩埚内的原料的加热状态，可以在控制生长条件的同时制造SiC单晶。所述方法的特征在于，为了得到在感应加热线圈上流通的高频电流，其具有：将交流电流转换成直流电流的转换器装置和将从转换器装置输出的直流电流进行高频转换而得到高频电流的逆变器装置，预先把握下述直流等效电阻值(DCV/DCI)的经时变化与在生长后的碳化硅单晶上形成的微管密度的关系，上述直流等效电阻值(DCV/DCI)通过在碳化硅单晶生长时的由所述转换器装置转换的直流电压值(DCV)和直流电流值(DCI)来算出，基于所述预先把握的直流等效电阻值与微管密度的关系，调节所述转换器装置的DCV或者DCI中的至少一者。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，其是用感应加热线圈围绕装纳有原料粉末和籽晶的坩埚的周围，对感应加热线圈供应高频电流来加热坩埚，使原料粉末升华并在籽晶上使碳化硅单晶生长的碳化硅单晶的制造方法，其中，为了得到供应感应加热线圈的高频电流，具有：将交流电流转换成直流电流的转换器装置和将从转换器装置输出的直流电流高频转换而得到高频电流的逆变器装置，预先把握下述直流等效电阻值(DCV/DCI)的经时变化与在生长后的碳化硅单晶上形成的微管密度的关系，上述直流等效电阻值(DCV/DCI)通过在碳化硅单晶生长时的由所述转换器装置转换的直流电压值(DCV)和直流电流值(DCI)来算出，在所述预先把握的直流等效电阻值与微管密度的关系中的所述微管密度为预先规定的容许值以下，基于所述预先把握的直流等效电阻值的经时变化与微管密度的关系，在所述转换器装置中，调节直流电压值(DCV)或直流电流值(DCI)中的至少一者。
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