[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的一个方式提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。该方法包括如下步骤：以第一温度形成氧化物半导体膜；将氧化物半导体膜加工为岛状；不进行比第一温度高的温度的工序通过溅射法形成将成为源电极及漏电极的构件；对构件进行加工来形成源电极及漏电极；在形成保护绝缘膜后形成第一阻挡膜；隔着第一阻挡膜对保护绝缘膜添加过剩氧或氧自由基；通过以低于400℃的第二温度进行加热处理来使过剩氧或氧自由基扩散到氧化物半导体膜；以及在利用湿蚀刻去除第一阻挡膜的一部分及保护绝缘膜的一部分后，形成第二阻挡膜。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：以第一温度形成氧化物半导体膜；将所述氧化物半导体膜加工为岛状；接着，不进行比所述第一温度高的温度的工序，通过溅射法在所述氧化物半导体膜上沉积将成为源电极及漏电极的材料；对所述材料进行加工来形成所述源电极及所述漏电极；接着，在所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上形成保护绝缘膜；接着，在所述保护绝缘膜上形成第一阻挡膜；通过所述第一阻挡膜对所述保护绝缘膜添加过剩氧或氧自由基；通过以低于400℃的第二温度进行加热处理来使所述过剩氧或所述氧自由基扩散到所述氧化物半导体膜中；利用湿蚀刻去除所述第一阻挡膜或所述第一阻挡膜的一部分及所述保护绝缘膜的一部分；以及接着，在所述保护绝缘膜上形成第二阻挡膜。