[发明专利]半导体装置

摘要

提供一种能够抑制耐压降低，并且使可靠性提升的半导体装置。在实施方式的半导体装置1中，在反向偏置施加状态下，导体部6、7的端部与过电压保护二极管5电气连接，使绝缘膜4近旁的扩散层3耗尽，以及/或者，在反向偏置施加状态下，导体部8、9的端部与过电压保护二极管5电气连接，使绝缘膜4近旁的周边半导体区域10耗尽。

主权项

一种半导体装置，在半导体基板的一方的主面与另一方的主面之间流通主电流，其特征在于：所述半导体基板的所述一方的主面设有：活性区域；以及耐压区域，包围所述活性区域，并且包含所述半导体基板的周缘部，所述半导体装置，包括：第二导电类型的扩散层，选择性地形成于所述耐压区域的所述一方的主面，并且包围所述活性区域；绝缘膜，形成在所述扩散层、以及位于该扩散层外侧的第一导电类型的周边半导体区域上；过电压保护二极管，具有：在所述绝缘膜上从所述活性区域侧向所述半导体基板的周缘部交互地邻接配置的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层；以及第一导体部以及第二导体部，在所述绝缘膜上沿所述耐压区域形成，其中，所述第一导体部经由所述绝缘膜配置在所述扩散层的上方，所述第二导体部经由所述绝缘膜配置在所述周边半导体区域的上方，所述第一导体部的端部与所述过电压保护二极管电气连接，使在反向偏置施加状态下所述绝缘膜近旁的所述扩散层耗尽，以及/或，所述第二导体部的端部与所述过电压保护二极管电气连接，使在所述反向偏置施加状态下所述绝缘膜近旁的所述周边半导体区域耗尽。