[实用新型]一种晶圆级真空封装的MEMS晶振有效
| 申请号： | 201620963596.X | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN206179827U | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 缪建民;宁文果 | 申请（专利权）人： | 上海微联传感科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/50;H01L23/31;H01L23/02;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了本实用新型实施例涉及半导体集成电路技术领域，尤其涉及一种晶圆级真空封装的MEMS晶振。其中，包括：提供一具有谐振器的晶振本体和单晶硅晶圆；于单晶硅晶圆上蚀刻第一类空腔和第二类空腔以形成盖板；键合晶振本体和盖板，以使晶振本体与盖板形成一密封谐振空腔；减薄盖板，以使与第二类空腔匹配的晶振本体表面显露；于显露的晶振本体设置金属电极。本实用新型通过将设置有第一类空腔、第二类空腔的盖板键合至晶振本体表面，以使晶振本体与盖板形成一真空密封谐振空腔。解决了通过生长单晶硅外延形成封装外壳以实现密封而导致成品率低的技术问题，达到了提高生产的成品率、同时减少工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 真空 封装 mems 晶振 | ||
【主权项】：
一种晶圆级真空封装的MEMS晶振，其特征在于，包括一盖板；具有谐振器的晶振本体，其中，所述盖板覆盖所述晶振本体；所述盖板具有第一类空腔和第二类空腔，所述第一类空腔结合所述谐振器形成一密封谐振空腔，设置于与所述第二类空腔匹配的所述晶振本体表面的金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
