[实用新型]一种使用高耐湿性肖特基势垒芯片的功率二极管有效
| 申请号： | 201620910578.5 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN205984941U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘忠玉;骆宗友 | 申请（专利权）人： | 东莞市佳骏电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/49;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 肖平安 |
| 地址： | 523808 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种使用高耐湿性肖特基势垒芯片的功率二极管，包括封装体和二极管本体，二极管本体置于封装体内部，二极管本体包括芯片、T型结构的引脚装置、金属触点和引线，引脚装置分别固定在芯片的左右两侧，金属触点分别设在芯片的上下表面，芯片的上表面金属触点通过引线和位于芯片左侧的引脚装置电性连接，芯片的下表面金属触点通过引线和位于芯片右侧的引脚装置电性连接，引脚装置的末端贯穿封装体并延伸至封装体外部，封装体内部填充有环氧树脂。本实用新型的有益效果是增加高密度介质层，对二极管终端结构中的Si‑SiO界面进行保护，提高抵抗潮湿环境下的可靠性；改进二极管的封装结构，提升二极管承受反向电压的能力，延长二极管寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 高耐湿性肖特基势垒 芯片 功率 二极管 | ||
【主权项】：
一种使用高耐湿性肖特基势垒芯片的功率二极管，其特征在于：包括封装体(1)和二极管本体(2)，所述二极管本体(2)置于封装体(1)内部，所述二极管本体(2)包括芯片(3)、T型结构的引脚装置(4)、金属触点(5)和引线(6)，所述引脚装置(4)分别固定在芯片(3)的左右两侧，所述金属触点(5)分别设在芯片(3)的上下表面，所述芯片(3)的上表面金属触点(5)通过引线(6)和位于芯片(3)左侧的引脚装置(4)电性连接，所述芯片(3)的下表面金属触点(5)通过引线(6)和位于芯片(3)右侧的引脚装置(4)电性连接，所述引脚装置(4)的末端贯穿封装体(1)并延伸至封装体(1)外部，所述封装体(1)的内部填充有环氧树脂(8)。
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