[实用新型]级联配置的器件与半导体元件有效
| 申请号： | 201620778059.8 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN206163495U | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘春利;A·萨利赫 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H03K17/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及级联配置的器件与半导体元件。根据一种实施例，半导体元件包含与硅基半导体器件耦接的基于化合物半导体材料的半导体器件以及保护部件，其中该硅基半导体器件是晶体管。保护部件并联耦接于硅基半导体器件两端，并且可以是电阻器、二极管或晶体管。根据另一种实施例，硅基半导体器件是二极管。化合物半导体材料可以用短路部件与电位源(例如，地线)短接。 | ||
| 搜索关键词： | 级联 配置 器件 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件(10，30，60，70，90，100)，具有至少第一及第二端子，其特征在于包括：第一半导体器件(12，72)，具有第一载流端子及第二载流端子，所述第一半导体器件(12，72)由硅基材料配置；第二半导体器件(14)，具有控制端子(14G)、第一载流端子(14D)及第二载流端子(14S)和体端子(14B)，所述第二半导体器件(14)由III‑N半导体材料配置，所述第一半导体器件(12，72)的所述第一载流端子与所述第二半导体器件(14)的所述第二载流端子(14S)耦接，所述第二半导体器件(14)的所述控制端子(14G)与所述第一半导体器件(12，72)的所述第二载流端子耦接，并且所述第二半导体器件(14)的所述体端子(14B)与所述第一半导体器件(12，72)的所述第二载流端子连接；以及保护元件(16，62，76，102)，具有第一端子及第二端子，所述保护元件(16，62)的所述第一端子与所述第一半导体器件(12，72)的所述第一载流端子以及所述第二半导体器件(14)的所述第二载流端子(14S)耦接。
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