[实用新型]级联配置的器件与半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件(10，30，60，70，90，100)，具有至少第一及第二端子，其特征在于包括：

第一半导体器件(12，72)，具有第一载流端子及第二载流端子，所述第一半导体器件(12，72)由硅基材料配置；

第二半导体器件(14)，具有控制端子(14G)、第一载流端子(14D)及第二载流端子(14S)和体端子(14B)，所述第二半导体器件(14)由III-N半导体材料配置，所述第一半导体器件(12，72)的所述第一载流端子与所述第二半导体器件(14)的所述第二载流端子(14S)耦接，所述第二半导体器件(14)的所述控制端子(14G)与所述第一半导体器件(12，72)的所述第二载流端子耦接，并且所述第二半导体器件(14)的所述体端子(14B)与所述第一半导体器件(12，72)的所述第二载流端子连接；以及

保护元件(16，62，76，102)，具有第一端子及第二端子，所述保护元件(16，62)的所述第一端子与所述第一半导体器件(12，72)的所述第一载流端子以及所述第二半导体器件(14)的所述第二载流端子(14S)耦接。

2.根据权利要求1所述的半导体元件(10，30，60，70，90，100)，其特征在于所述第一半导体器件(12)、所述第二半导体器件(14)和所述保护元件(16，62，76，102)是单片集成的。

3.根据权利要求1所述的半导体元件(10，30，60，70，90，100)，其特征在于所述保护元件(16，62，76，102)是无源电路元件或有源电路元件之一。

4.根据权利要求1所述的半导体元件(10，30，60，70，90，100)，其特征在于所述保护元件(16，62，76，102)是电阻器(16，76)或齐纳二极管(62，102)。

5.一种半导体元件(10，30，60，70，90，100)，其特征在于包括：

硅基半导体器件(12，72)，由硅半导体材料形成，且具有第一载流端子及第二载流端子；

III-N基半导体器件(14)，由III-N半导体材料形成，且具有控制端子(14G)、第一载流端子(14S)、第二载流端子(14D)和体端子(14B)，硅基半导体材料的所述第一载流端子与所述III-N基半导体器件(14)的所述控制端子(14G)耦接，所述硅基半导体器件(12)的所述第二载流端子与所述III-N半导体器件(14)的所述第一载流端子(14S)耦接；以及

用于将所述III-N半导体材料电连接至所述硅基半导体器件(12)的所述第一载流端子的装置(32，92)。

6.根据权利要求5所述的半导体元件(10，30，60，70，90，100)，其特征在于所述硅基半导体器件(72)包括具有阳极和阴极的二极管(72)，并且所述III-N基半导体器件(14)包括具有栅极(14G)、源极(14S)和漏极(14D)的场效应晶体管，并且其中所述二极管(72)的所述阳极用作所述硅基半导体器件(72)的所述第一载流端子，所述二极管(72)的所述阴极用作所述硅基半导体器件(72)的所述第二载流电极，所述场效应晶体管的所述源极(14S)用作所述III-N基半导体器件的所述第一载流电极，并且所述场效应晶体管的所述漏极用作所述III-N基半导体器件(14)的所述第二载流电极。

7.根据权利要求6所述的半导体元件(10，30，60，70，90，100)，其特征在于还包括与所述二极管(72)的所述阴极耦接的电流旁路部件(16，62，76，102)。

8.根据权利要求5所述的半导体元件(10，30，60，70，90，100)，其特征在于所述硅基半导体器件(12)包括具有栅极(12G)、源极(12S)和漏极(12D)的第一场效应晶体管，并且所述III-N基半导体器件(14)包括具有栅极(14G)、源极(14S)、漏极(14D)和所述体端子(14B)的第二场效应晶体管，并且其中所述第一场效应晶体管的所述源极(14S)用作所述硅基半导体器件(12)的所述第一载流端子，所述第一场效应晶体管的所述漏极(12D)用作所述硅基半导体器件(12)的所述第二载流电极，所述第二场效应晶体管的所述源极(14S)用作所述III-N基半导体器件(14)的所述第一载流电极，并且所述场效应晶体管的所述漏极(14D)用作所述III-N基半导体器件(14)的所述第二载流电极。