[实用新型]一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极有效
| 申请号： | 201620769675.7 | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN205845937U | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 高明超;王耀华;刘江;赵哿;金锐;温家良;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，包括第一金属层和第二金属层；第一金属层的上表面设置具有第一窗口的第一薄膜层；第二金属层设置在第一薄膜层与第一窗口处暴露出的第一金属层形成的组合结构的表面上；第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面设置第二薄膜层，第二薄膜层包括用于焊接的第二窗口。与现有技术相比，本实用新型提供的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，能够缓冲压接式IGBT/FRD芯片承受的压力，减少压力对压接式IGBT/FRD芯片电特性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接式 igbt frd 芯片 正面 电极 | ||
【主权项】：
一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，其特征在于，所述正面电极包括第一金属层和第二金属层；所述第一金属层的上表面设置具有第一窗口的第一薄膜层；所述第二金属层设置在所述第一薄膜层与所述第一窗口处暴露出的第一金属层形成的组合结构的表面上；所述第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面设置第二薄膜层，所述第二薄膜层包括用于焊接的第二窗口。
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