[实用新型]用于半导体处理的处理系统有效
| 申请号： | 201620335567.9 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN205954106U | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | T·A·恩古耶;A·K·班塞尔;J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C14/50;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体处理系统中的外部基板旋转。本文公开一种用于处理半导体的设备。在一个实施例中，公开了一种用于半导体处理的处理系统。处理腔室包括两个传送腔室、处理腔室和旋转模块。处理腔室耦接至传送腔室。旋转模块定位在传送腔室之间。旋转模块配置成旋转基板。传送腔室配置成在处理腔室与传送腔室之间传送基板。在另一实施例中，本文公开了一种用于在装置上处理基板的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种用于半导体处理的处理系统，所述处理系统包含：两个传送腔室；处理腔室，耦接至所述两个传送腔室中的一个传送腔室；旋转模块，定位在所述传送腔室之间，所述旋转模块配置成旋转基板。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
