[实用新型]一种存储盘芯片阶梯式多叠层封装结构有效

专利信息
申请号: 201620182580.5 申请日: 2016-03-10
公开(公告)号: CN205428920U 公开(公告)日: 2016-08-03
发明(设计)人: 倪黄忠 申请(专利权)人: 倪黄忠
主分类号: H01L25/10 分类号: H01L25/10
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 侯蔚寰
地址: 518000 广东省深圳市宝安沙*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种存储盘芯片阶梯式多叠层封装结构,该封装结构包括:置于最底层的PCB基板层、存储盘芯片晶元层、假片,所述存储盘芯片晶元层设置在PCB基板层表面,它分为两部分,每个部分都是由多个晶元层呈阶梯式层叠在一起,其中下部分晶元层与PCB基板层接触,上部分晶元层置于下部分晶元层上表面右侧区域,上部分晶元层与下部分晶元层呈反向放置,其右侧部分与所述PCB基板层之间形成间隙;所述假片置于所述上部分晶元层与所述PCB基板层之间的间隙处。本实用新型将晶元层设置成阶梯式层叠在一起,使金手指之间的连接距离变短,减少信号损耗,同时也可以节约成本。
搜索关键词: 一种 存储 芯片 阶梯 式多叠层 封装 结构
【主权项】:
   一种存储盘芯片阶梯式多叠层封装结构,该封装结构包括:置于最底层的PCB基板层(1);其特征在于,封装结构还包括:存储盘芯片晶元层(2),所述存储盘芯片晶元层(2)设置在PCB基板层(1)表面,它分为两部分,每个部分都是由多个晶元层呈阶梯式层叠在一起,其中下部分晶元层与PCB基板层(1)接触,上部分晶元层置于下部分晶元层上表面右侧区域,上部分晶元层与下部分晶元层呈反向放置,其右侧部分与所述PCB基板层(1)之间形成间隙;假片(3),所述假片(3)置于所述上部分晶元层与所述PCB基板层(1)之间的间隙处。
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